一种新型IGBT模块封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种新型IGBT模块封装结构，包括外壳、底板、散热基板、端子、芯片结构、Pin针、信号端子、G极键合铝线、铜线；所述外壳，内部设置上述部件；所述底板，设置在所述外壳的底部并贯穿所述外壳，顶部设置所述散热基板；所述散热基板，设置在所述底板的上部，其上侧设置所述端子、所述芯片结构、所述Pin针；所述G极键合铝线，连接所述散热基板和所述芯片结构；所述信号端子，通过支架设置在所述底部的上部；所述铜线，两侧分别连接所述信号端子和所述Pin针。本发明专利技术的芯片结构的温度能及时有效的得到控制，继而保护了模块，提高了模块的散热能力、可靠性和使用寿命，提高了成品率，避免出现焊接不良的现象，提高了封装效率。

A new type of IGBT module encapsulation structure

The present invention discloses a new IGBT module package structure comprises a shell, bottom plate, radiating substrate, terminal, chip structure, Pin pins, signal terminals, G bonding wire, copper wire; the shell, inside the parts; the bottom plate, arranged at the bottom of the housing and through the shell is arranged on the top of the substrate; the radiating substrate is arranged on the upper part of the bottom plate, the upper side of the terminal, the structure of the chip and the Pin pin; the G pole bonding wire, connected with the radiating substrate and the chip structure; the signal through the terminal. Bracket is arranged on the upper part of the bottom; the copper wire, both sides are respectively connected to the signal terminals and the Pin pin. The temperature of the chip structure in the invention can be controlled in time and effectively, thereby protecting the module, improving the heat dissipation ability, reliability and service life of the module, improving the finished product rate, avoiding the phenomenon of poor welding and improving the encapsulation efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种新型IGBT模块封装结构
本专利技术涉及半导体功率器件封装
，具体为一种高可靠性的新型IGBT模块封装结构。
技术介绍
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT封装模块是将多个IGBT集成封装在一起，IGBT以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势。传统工艺的IGBT封装模块，从图1可以看出，IGBT、FWD等芯片直接焊接到DBC上，并在信号端子和DBC上焊接一根铜线，这种封装结构在市场上非常流行，但具有缺点和安装困难。首先，DBC的导热能力有限，芯片产生热量时，并不能及时通过DBC传递到底板与散热器上，造成芯片温度过高，继而造成模块失效；然后，铜线直径小，焊接时对铜线的定位处理比较困难，会极易出现脱焊、虚焊等现象，导致焊接不良，是造成良率低的重要原因；接着，由于此铜线需要焊接在DBC上，手工焊接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型IGBT模块封装结构，其特征在于，包括外壳（1）、底板（2）、散热基板（3）、端子（7）、芯片结构、Pin针（6）、信号端子（10）、G极键合铝线（11）、铜线（12）；所述外壳，内部设置上述部件；所述底板，设置在所述外壳的底部并贯穿所述外壳，顶部设置所述散热基板；所述散热基板，设置在所述底板的上部，其上侧设置所述端子、所述芯片结构、所述Pin针；所述G极键合铝线，连接所述散热基板和所述芯片结构；所述信号端子，通过支架（4）设置在所述底部的上部；所述铜线，两侧分别连接所述信号端子和所述Pin针。

【技术特征摘要】
1.一种新型IGBT模块封装结构，其特征在于，包括外壳（1）、底板（2）、散热基板（3）、端子（7）、芯片结构、Pin针（6）、信号端子（10）、G极键合铝线（11）、铜线（12）；所述外壳，内部设置上述部件；所述底板，设置在所述外壳的底部并贯穿所述外壳，顶部设置所述散热基板；所述散热基板，设置在所述底板的上部，其上侧设置所述端子、所述芯片结构、所述Pin针；所述G极键合铝线，连接所述散热基板和所述芯片结构；所述信号端子，通过支架（4）设置在所述底部的上部；所述铜线，两侧分别连接所述信号端子和所述Pin针。2.根据权利要求1所述的新型IGBT模块封装结构，其特征在于，所述芯片结构包括FWD模块（8）、IGBT模块（9）和铜片（5）；所述铜片（5）设置多个，分别置于所述散热基板的上侧，其上侧分别安装所述FWD模块和所述IGBT模块。3.根据权利要求2所述的新型IGBT模块封装结构，其特征在于，所述铜片的面积大于所述FWD模块的面...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌容，许海东，陈飞，姜季均，
申请(专利权)人：南京晟芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32