The invention discloses a three dimensional memory and a forming method, which belongs to the field of semiconductor technology. The method includes: providing the main structure, the main structure comprises a substrate, laminated structure formed on the substrate; the top choice of gate and channel through holes are formed in the laminated structure, so that each of the top choice to be preset column channel through hole; the through hole filling channel to form a column. And on the surface of the laminated structure flush; etching laminated structure to expose the top of the column, and the column top exposed trim plug is formed covering the plug structure; structure of the gate layer and the gate layer covering the first oxide layer. The method of the invention, the formation of three-dimensional memory units (Unit Cell) for 8 rows of staggered channel through hole, reduces the occupied area, thereby reducing the size of demand chip, reduce the production cost and the volume of three-dimensional memory.
【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。
技术介绍
闪存是一种非易变性的存储器,是电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构,其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的,使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来,随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求,闪存被广泛的应用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中,并占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额。如今,经历了平面型闪存存储器的发展时期,已进入了三维闪存存储器的发展热潮,三维闪存存储器主要特色是将平面结构转换为立体结构,来大大节省晶片面积。目前的三维闪存存储器,单位单元(UnitCell)通常为一个顶层选择门(TopSelectGate,简称TSG)对应9行交错排布的沟道通孔(ChannelHole),其对应的晶片尺寸较大,使得形成的三维存储器的体积也较大。如何在不改变存储容量的基础上降低晶片尺寸,进而减小存储器的体积成为人们研究和关注的焦点。
技术实现思路
为解决现有技术的不足,本专利技术提供一种三维存储器及其形成方法。一方面,本专利技术提供一种三维存储器的形成方法,包括:提供主体结构,所述主体结构包括衬底,形成于衬底上的叠层结构;在所述叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔,使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔;对所述沟道通孔进行填充形成立柱,至与所述叠层结构的上表面齐平;刻蚀所述叠层结构至 ...
【技术保护点】
一种三维存储器的形成方法,其特征在于,包括:提供主体结构,所述主体结构包括衬底,形成于衬底上的叠层结构;在所述叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔,使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔;对所述沟道通孔进行填充形成立柱,至与所述叠层结构的上表面齐平;刻蚀所述叠层结构至露出立柱顶部,并对露出的立柱顶部进行修剪形成塞结构;形成覆盖所述塞结构的门极层,及覆盖所述门极层的第一氧化物层。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的形成方法,其特征在于,包括:提供主体结构,所述主体结构包括衬底,形成于衬底上的叠层结构;在所述叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔,使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔;对所述沟道通孔进行填充形成立柱,至与所述叠层结构的上表面齐平;刻蚀所述叠层结构至露出立柱顶部,并对露出的立柱顶部进行修剪形成塞结构;形成覆盖所述塞结构的门极层,及覆盖所述门极层的第一氧化物层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述叠层结构,具体为:多层交错堆叠的氧化物层和氮化物层,所述氮化物层形成于相邻的氧化物层之间。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述沟道通孔进行填充形成立柱,至与所述叠层结构的上表面齐平,具体包括:刻蚀所述叠层结构形成沟道通孔;在所述沟道通孔的侧壁和底层沉积多晶硅,并形成覆盖所述叠层结构上表面的第一多晶硅层;在含有多晶硅的沟道通孔中填充氧化物,并形成覆盖所述第一多晶硅层的第二氧化物层;去除所述第二氧化物层及沟道通孔中的部分氧化物,形成沟道通孔凹槽;在所述沟道通孔凹槽中填充多晶硅,并形成覆盖所述第一多晶硅层的第二多晶硅层;去除所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层至呈现所述叠层结构的上表面,得到对所述沟道通孔进行填充形成的立柱,所述立柱的上表面与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕震宇,黄郁茹,陶谦,胡禺石,陈俊,戴晓望,朱继锋,李勇娜,宋立东,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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