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本发明公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供主体结构，主体结构包括衬底，形成于衬底上的叠层结构；在叠层结构上形成顶层选择门和沟道通孔，使每个顶层选择门对应预设列的沟道通孔；对沟道通孔进行填充形成立柱，至与叠...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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