具有包括不同材料层的公共源线的存储器件制造技术

一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。

Storage device with common source line including different material layers

A memory device includes a gate structure including the substrate on the surface of a plurality of stacked gate electrode layer; a channel region extending through the gate structure and the upper surface of the substrate and along the vertical direction; source region is provided extending along a first direction on the substrate, and includes impurities; and the public the source line, and the upper surface of the substrate extends along the vertical direction, is connected with the source region, and includes layers containing different materials.

【技术实现步骤摘要】
具有包括不同材料层的公共源线的存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2016年4月21日递交的美国临时专利申请No.62/325,565的优先权以及2016年5月26日递交的韩国专利申请No.10-2016-0064692的优先权，这二者的全部内容一并在此引入作为参考。
本专利技术构思一般地涉及半导体，更具体地涉及存储器件。
技术介绍
电子器件逐渐变得越来越小，但是更加需要处理大量的数据。因此，应该增加这些电子产品中使用的半导体存储器件的集成度。为了提供集成度增加的半导体存储器件，已经提出了一些具有竖直晶体管结构的存储器件来代替平面晶体管结构的存储器件。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施例提供了一种存储器件，所述存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。本专利技术构思的另外实施例提供了一种存储器件，包括：衬底；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括n型杂质；多个沟道区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。

【技术特征摘要】
2016.05.26 KR 10-2016-0064692;2016.04.21 US 62/3251.一种存储器件，包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述公共源线包括：第一层，设置在源极区上，并且包括掺杂有杂质的多晶硅；以及第二层，设置在第一层上，并且包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中第二层沿第一方向延伸得比第一层长。4.根据权利要求2所述的存储器件，其中第一层包括掺杂有导电类型与源极区相同的杂质的多晶硅；以及其中第一层的杂质浓度比源极区的杂质浓度高。5.根据权利要求2所述的存储器件，其中公共源线包括设置在第二层上的第三层；以及其中第三层包括金属、金属硅化物和金属化合物中的至少一种。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中第三层具有比第二层大的厚度。7.根据权利要求5所述的存储器件，其中第三层沿第一方向延伸得比第一层和第二层长。8.根据权利要求2所述的存储器件，其中第二层包括设置在第一层的上表面上的阻挡层和设置在阻挡层上的金属层。9.根据权利要求1所述的存储器件，还包括设置在栅结构上的层间绝缘层，其中公共源线中包括的所述多层中的至少一个设置在间层绝缘层上。10.根据权利要求9所述的存储器件，其中公共源线中包括的所述多层之一的上表面与层间绝缘层的上表面共面。11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光洙，张在薰，孙炳根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR