存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备技术

公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个柱状有源区；以及在衬底上从下向上依次排列、彼此隔开且分别围绕各柱状有源区的多层栅电极层，其中各栅电极层介由存储栅介质叠层面对各柱状有源区，其中，柱状有源区中包括源/漏区，源/漏区的掺杂浓度高于有源区中其余部分处的掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
本公开涉及半导体领域，具体地，涉及基于竖直型器件的存储器件及其制造方法以及包括这种存储器件的电子设备。
技术介绍
在水平型器件如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中，源极、栅极和漏极沿大致平行于衬底表面的方向布置。由于这种布置，水平型器件不易进一步缩小。与此不同，在竖直型器件中，源极、栅极和漏极沿大致垂直于衬底表面的方向布置。因此，相对于水平型器件，竖直型器件更容易缩小。在基于竖直型器件的存储器件中，存在堆叠的存储单元，从而这些存储单元各自的电阻串联在一起。于是，总电阻增大，且存储器件性能变差。由于在常规竖直型存储器件中有源区(包括沟道区和源/漏区)通常一体形成，所以沟道区和源/漏区中的掺杂剂类型和浓度基本上是一样的。因此，难以通过增加源/漏区的掺杂浓度来降低总电阻，因为这同样会使得沟道区中的掺杂浓度增加，从而导致源漏之间的漏电流增大。
技术实现思路
有鉴于此，本公开的目的至少部分地在于提供一种基于竖直型器件的存储器件及其制造方法以及包括这种存储器件的电子设备，其中能够针对沟道区和源/漏区分别调节掺杂类型/浓度。根据本公开的一个方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个柱状有源区；以及在衬底上从下向上依次排列、彼此隔开且分别围绕各柱状有源区的多层栅电极层，其中各栅电极层介由存储栅介质叠层面对各柱状有源区，其中，柱状有源区中包括源/漏区，源/漏区的掺杂浓度高于有源区中其余部分处的掺杂浓度。

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个柱状有源区；以及在衬底上从下向上依次排列、彼此隔开且分别围绕各柱状有源区的多层栅电极层，其中各栅电极层介由存储栅介质叠层面对各柱状有源区，其中，柱状有源区中包括源/漏区，源/漏区的掺杂浓度高于有源区中其余部分处的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，源/漏区呈环状。3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：位于各栅电极层之间的掺杂剂源层。4.根据权利要求3所述的存储器件，还包括：位于各栅电极层与各掺杂剂源层之间的扩散阻挡层。5.根据权利要求3所述的存储器件，其中，每一掺杂剂源层包括围绕各柱状有源区的环状的第一部分以及各个第一部分之间的第二部分。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第一部分包括n型掺杂的磷硅玻璃(PSG)或砷硅玻璃(AsSG)，或者p型掺杂的硼硅玻璃(BSG)，其中所含的掺杂剂的浓度为约0.01-10％。7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第二部分包括掺硼(B)的氧化物。8.根据权利要求3所述的存储器件，其中，源/漏区的至少一部分相对于柱状有源区中的其余部分向外突出。9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，栅电极层包括金属。10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，柱状有源区中的半导体材料是同质的。11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，柱状有源区是中空的，其中填充有电介质。12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，存储栅介质叠层包括依次叠置的第一栅介质层、电荷俘获层和第二栅介质层。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11