集成电路及其制造方法和半导体器件技术

本发明专利技术涉及制造包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件的集成电路的方法、半导体器件和集成电路。本发明专利技术的方法包括在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，栅极沟槽形成为使得栅极沟槽的纵轴沿平行于第一主表面的第一方向延伸。该方法还包括：形成沿与第一主表面平行的第二方向延伸的源极接触槽(S110)，第二方向垂直于第一方向，源极接触槽沿所述多个栅极沟槽延伸；形成源极区(S120)，包括穿过源极接触槽的侧壁引入掺杂剂来执行掺杂过程；以及在源极接触槽中填充牺牲材料(S130)。该方法还包括：之后，形成逻辑电路元件的部件(S140)；然后从源极接触槽去除牺牲材料(S150)；以及在源极接触槽中填充源极导电材料(S160)。

Integrated circuit and its manufacturing method and semiconductor device

The present invention relates to a method of manufacturing an integrated circuit including a transverse trench transistor and a logic circuit element, a semiconductor device and an integrated circuit. The method of the present invention includes forming a plurality of gate grooves (S100) in the first main surface of the semiconductor substrate, wherein the gate trench is formed to extend the longitudinal axis of the gate trench along the first direction parallel to the first main surface. The method also includes forming a first main surface and extends along the second direction parallel to the source contact tank (S110), a second direction perpendicular to the first direction, the source contact groove along the plurality of gate trench extension; forming a source region (S120), including the side wall through the source contact groove introducing dopant to perform the doping process; and the source contact tank filled with sacrificial material (S130). The method also comprises the following steps: forming a component of the logic circuit element (S140); then removing the sacrificial material (S150) from the source contact groove; and filling the source conducting material (S160) in the source contact groove.

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其制造方法和半导体器件
本专利技术涉及集成电路领域，具体地涉及用于制造包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件的集成电路的方法、半导体器件和集成电路。
技术介绍
通常用于汽车和工业电子的功率晶体管需要低导通电阻(RonA)，同时确保高压阻挡能力。例如，MOS(“金属氧化物半导体”)功率晶体管应当能够根据应用需要阻挡几十到几百或几千伏特的漏极-源极电压Vds。MOS功率晶体管通常传导非常大的电流，其在约2V到20V的典型栅极-源极电压下可能达到几百安培。低压功率晶体管应用于低于10伏特的漏极-源极电压范围Vds。电流流动主要与半导体衬底的第一主表面平行地发生的横向功率器件对于集成有诸如开关、桥和控制电路的另外的部件的集成电路是有用的。通常，正在研究可以用作低电阻低压功率开关并且可以与驱动电路集成的晶体管。正在开发用于将逻辑电路、模拟电路和功率晶体管集成在一个芯片中的概念。在这些器件中，单个的部件必须彼此绝缘，使得它们不会相互影响其功能。特别地，正在研究通过其可以通过常规处理方法形成单个电路的部件的方法。因此，本专利技术的目的是提供一种改进的用于形成集成电路的方法，该方法具有降低的复杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成集成电路的方法，所述集成电路包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件，所述方法包括：在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，所述栅极沟槽的纵轴沿平行于所述第一主表面的第一方向延伸；形成沿与所述第一主表面平行的第二方向延伸的源极接触槽(S110)，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述源极接触槽沿着所述多个栅极沟槽延伸；形成源极区(S120)，包括通过穿过所述源极接触槽的侧壁引入掺杂剂来执行掺杂过程；在所述源极接触槽中填充牺牲材料(S130)；之后形成所述逻辑电路元件的部件(S140)；然后，从所述源极接触槽去除所述牺牲材料(S150)；以及在所述源极接触槽中填充源极导电材料...

【技术特征摘要】
2016.04.13 DE 102016106872.11.一种形成集成电路的方法，所述集成电路包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件，所述方法包括：在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，所述栅极沟槽的纵轴沿平行于所述第一主表面的第一方向延伸；形成沿与所述第一主表面平行的第二方向延伸的源极接触槽(S110)，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述源极接触槽沿着所述多个栅极沟槽延伸；形成源极区(S120)，包括通过穿过所述源极接触槽的侧壁引入掺杂剂来执行掺杂过程；在所述源极接触槽中填充牺牲材料(S130)；之后形成所述逻辑电路元件的部件(S140)；然后，从所述源极接触槽去除所述牺牲材料(S150)；以及在所述源极接触槽中填充源极导电材料(S160)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述逻辑电路元件的部件包括形成晶体管的部件。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述晶体管的部件包括形成源极区和漏极区。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括形成各自接触所述栅极沟槽中的相应的一个栅极沟槽中的导电材料的栅极接触件。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述栅极接触件、到所述源极导电材料的接触件、以及到所述逻辑电路元件的部件的接触插塞通过联合过程形成。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括形成场板沟槽，其中，所述场板沟槽、所述栅极沟槽和所述源极接触槽通过联合蚀刻过程形成。7.根据权利要求6所述的方法，还包括形成场氧化物层以给所述场板栅沟槽做衬里，其中，所述场氧化物层填充所述栅极沟槽和所述源极接触槽。8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括在形成所述栅极沟槽之前形成场板沟槽。9.根据权利要求8所述的方法，还包括在形成所述栅极沟槽之前形成场氧化物层。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在形成所述多个栅极沟槽之前，在所述半导体衬底的区域中形成第一导电类型的第一掺杂部，其中，所述栅极沟槽和所述源极接触槽形成在所述第一掺杂部中。11.一种形成包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件的集成电路的方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S200)，其中，所述栅极沟槽的纵轴沿平行于所述第一主表面的第一方向延伸；形成沿与所述第一主表面平行的第二方向延伸的漏极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·迈泽尔，卡尔海因茨·格布哈特，蒂尔·施勒塞尔，德特勒夫·韦伯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE