一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，该制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型N PN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过未遮盖区域对第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。本发明专利技术在不改变BCD工艺上其他相关器件参数的同时，提升了NPN三极管的电性参数β值。

A manufacturing method of parasitic NPN triode in BCD process

The invention provides a manufacturing method of a parasitic BCD transistor in NPN process, the production method includes: making P substrate on the BCD board and is located in the deep N trap P type substrate; P wells lithography in the deep N well region, forming a first P well region and a second well region P among them, the first well region P, N PN parasitic transistor P well region, a second P well area is P well region of other devices on the BCD plate; a plurality of areas covering a predetermined interval apart, formed on the surface of the first P well region, between the covered area adjacent to the area is not cover area second P well region surfaces are not covered by the region; not covered area of the first P well region and a second P well region by ion implantation. Without changing the parameters of other related devices in the BCD process, the electric parameter beta value of the NPN triode is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其是涉及一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法。
技术介绍
集成电路是一种微型电子器件或部件，是指采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，具有提升系统稳定性以及缩小占地空间的作用。BCD工艺是很常见的集成电路工艺，其中集成了小尺寸的互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS)、三极管、二极管以及各种电阻，可供电路设计者自由选择。在BCD工艺中，为了得到目标CMOS以及LDMOS的电学性能，NPN三极管通常是按照寄生器件设计的。在三极管的电性参数中，三极管的电流放大倍数β是很重要的电性参数，关系到三极管的电流放大倍数。在三极管的制作过程中，β值与三极管的基区离子掺杂浓度直接相关，基区离子掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在所述深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型NPN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在所述第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，所述第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过所述未遮盖区域对所述第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种BCD工艺中寄生型NPN三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区；在所述深N阱区内进行P阱光刻，形成第一P阱区域和第二P阱区域，其中，第一P阱区域为寄生型NPN三极管的P阱区域，第二P阱区域为BCD板上其他器件的P阱区域；在所述第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，其中，相邻的遮盖区域之间的区域为未遮盖区域，所述第二P阱区域表面均为未遮盖区域；通过所述未遮盖区域对所述第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一P阱区域的表面形成多个相距一预设间隔的遮盖区域，包括：根据第一P阱区域的预设离子掺杂浓度，通过光刻工艺调整所述遮盖区域与所述第一P阱区域的比例，其中，遮盖区域为光刻胶覆盖的区域，所述未遮盖区域为未被光刻胶覆盖的区域，且所述遮盖区域与所述第一P阱区域的比例越大，所述第一P阱区域的离子掺杂浓度越小。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过所述未遮盖区域对所述第一P阱区域和第二P阱区域进行离子注入之后，所述制作方法还包括：对所述第一P阱区域进行高温推阱，以使通过所述未遮盖区域注入第一P阱区域的离子扩散至整个第一P阱区域。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述遮盖区域的横向区域范围小于所述第一P阱区域的阱深。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在BCD板上制作P型衬底以及位于P型衬底内的深N阱区，包括：在所述P型衬底上沉积第一氮化硅层，并通过对所述第一氮化硅层进行光刻及刻蚀处理，在所述P型衬底上形成一浅N阱区，所述浅N阱区的深度小于所述深N阱区的深度；对所述浅N阱区进行离子注入及高温推阱，并在所述浅N阱区的表面生长二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行光刻及刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11