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本发明涉及制造包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件的集成电路的方法、半导体器件和集成电路。本发明的方法包括在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，栅极沟槽形成为使得栅极沟槽的纵轴沿平行于第一主表面的第一方向延伸。该方法还包...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

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