NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片。NAND闪存包括数据块阵列、X方向的选通电路、地址译码与高压转换电路以及可控电压源，数据块阵列中包含依次排列的2N个数据块；数据块阵列选通电路分别分布在数据块单元两侧，用于控制数据块阵列中的偶数据块或奇数据块；N个地址译码与高压转换电路位于数据块阵列旁选通电路的外侧中的一侧；每个地址译码与高压转换电路产生的高压信号和可控电压源产生的信号共同控制与地址译码与高压转换电路相邻的选通电路，以及所述高压信号在版图上横穿数据块阵列控制与地址译码与高压转换电路不相邻的选通电路。本实用新型专利技术实施例可以节省版图面积，提高版图利用率。

Layout structure of NAND flash memory and NAND flash chip

The embodiment of the utility model discloses a layout structure of NAND flash memory and a NAND flash chip. NAND flash memory includes a data block array, X direction gating circuit, address decoding and high voltage conversion circuit and a voltage source, the data blocks in the array contains the 2N data blocks are arranged; the data array block selection circuit respectively in the data block unit is used to control the number of sides, even according to the data blocks in the array or block the odd data block; one lateral N address decoding and high voltage conversion circuit in the data block array beside the gate circuit in the signal generation; each address decoding and high voltage conversion circuit generates high voltage signal and controllable voltage source common control and address decoding and adjacent to high voltage conversion circuit selection circuit, and the voltage signal across the map data block array control and address decoding and high voltage conversion circuit of gating circuit. The embodiment of the utility model can save the layout area and improve the utilization ratio of the layout.

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片
本技术实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片。
技术介绍
NAND闪存是Flash内存的一种，属于非易失性半导体存储器。众所周知，NAND闪存中有多个排列成阵列的数据块，每个数据块包含多个数据页，每个数据页包含多个存储单元，这些存储单元通常经由一字线(word-line,WL)与一对位线(bit-line,BL)选取。在传统的NAND闪存中，每个数据块对应一个X方向的选通电路(XDEC)和一个译码与高压转换电路，如图1所示。芯片PAD_IO管脚输入的地址通过该译码与高压转换电路转换为相应的高压，此高压与可控电压源共同控制XDEC中开关的导通，从而选中相对应的数据块，并经供电电路译码后完成该选中数据块中相应WL的电压配置。相应的，图2示出了与图1对应的NAND闪存X方向的版图结构。但是，由于地址译码与高压转换电路中存在很多高压管，而高压管占版图面积较大，因此，如何节约版图面积、提高版图利用率，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术实施例提供一种NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片，以节省版图面积，提高版图利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND闪存的版图结构，所述NAND闪存包括数据块阵列、X方向的选通电路、地址译码与高压转换电路以及可控电压源，其特征在于，所述数据块阵列中包含依次排列的2N个数据块，其中，N为自然数；所述数据块阵列的左侧分布有N个选通电路，用于控制数据块阵列中的奇数据块或偶数据块，所述数据块阵列的右侧分布有N个选通电路，用于控制数据块阵列中的偶数据块或奇数据块；N个地址译码与高压转换电路位于分布在数据块阵列左侧的选通电路的左侧，或者位于分布在数据块阵列右侧的选通电路的右侧，每个地址译码与高压转换电路用于控制一对选通电路，该一对选通电路包括一个位于数据块阵列左侧的选通电路和一个位于数据块阵列右侧的选通电路...

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存的版图结构，所述NAND闪存包括数据块阵列、X方向的选通电路、地址译码与高压转换电路以及可控电压源，其特征在于，所述数据块阵列中包含依次排列的2N个数据块，其中，N为自然数；所述数据块阵列的左侧分布有N个选通电路，用于控制数据块阵列中的奇数据块或偶数据块，所述数据块阵列的右侧分布有N个选通电路，用于控制数据块阵列中的偶数据块或奇数据块；N个地址译码与高压转换电路位于分布在数据块阵列左侧的选通电路的左侧，或者位于分布在数据块阵列右...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，张现聚，李建新，纪艳丽，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11