本发明专利技术公开了一种闪存封装芯片，包含：基板；闪存（Flash）芯片；拓展芯片，与Flash芯片相互连接并封装在基板上。本发明专利技术的闪存封装芯片通过将单独的Flash芯片和拓展芯片进行封装，复杂度较低、设计和生产周期较短、成本较低；Flash芯片的容量可扩展；而且两个芯片可并行工作，可以执行不同的指令操作；另外可以把不同工艺的Flash芯片和拓展芯片封装的一起，复用现有的芯片资源，降低开发成本，而且可以对单个的芯片进行更换，降低更换成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪存芯片领域，尤其涉及一种闪存封装芯片。
技术介绍
增强型闪存芯片是英特尔(Intel)公司将主推的基本输入输出系统(BIOS)芯片。增强型闪存芯片包含一个大容量的闪存(Flash)芯片和拓展芯片。其中，Flash芯片用来存储中央处理器(CPU) BIOS的代码和数据；拓展芯片用来提供读写数据的机密性和完整性。拓展芯片与其集成的Flash芯片一起构成了 PC系统中BIOS的硬件平台。为了适应不同系统的需求，往往需要Flash芯片具备一些特殊的功能,而Flash芯片已有的功能已经固定，因此需要重新设计生产整个芯片来实现产品拓展功能的增加。目前的增强型闪存芯片，把大容量Flash芯片和拓展芯片集成的一个裸芯片(die)上。拓展芯片和Flash芯片的集成芯片具有以下缺点:复杂度较高、设计和生产周期较长、成本较高；由于为集成芯片，重复利用性较差，而且集成芯片在一个时刻只能执行一种指令操作，也不可以对Flash进行组合封装扩展容量，所以Flash的容量不可扩展，另外，由于裸芯片上集成了 RPMC和Flash，所以单片裸芯片的面积大，封装面积大，封装成本也较闻。
技术实现思路
本专利技术提供了一种闪存封装芯片，能够解决现有技术中集成芯片(增强型闪存芯片)复杂度较高、设计和生产周期较长、成本较高等问题。本专利技术公开了一种闪存封装芯片，包含:基板；闪存(Flash)芯片；拓展芯片，与所述Flash芯片相互连接并封装在所述基板上。优选地，所述Flash芯片为串行外设接口闪存(SPI Flash)芯片。优选地，所述拓展芯片为应答保护单调计数器(RPMC)芯片。优选地，所述Flash芯片为支持串行闪存可搜寻参数(SFDP)功能的芯片。优选地，所述拓展芯片为支持SFDP功能的芯片。优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片都为支持SFDP功能的芯片，所述Flash芯片或所述拓展芯片设置有控制开关，或者所述Flash芯片和所述拓展芯片分别设置有控制开关，所述控制开关用来控制SFDP功能的开启或关闭。优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片以并行排列或者堆叠的方式封装在所述基板上。优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片以堆叠的方式封装在所述基板上，若所述Flash芯片的面积大于所述拓展芯片的面积，所述Flash芯片设置在所述基板上，所述拓展芯片设 置在所述Flash芯片上；若所述Flash芯片的面积小于所述拓展芯片的面积时，所述拓展芯片设置在所述基板上，所述Flash芯片设置在所述拓展芯片上。优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片具有共享输入输出(IO)接口。优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片各自具有单独的IO接口。优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片通过引线键合或倒装凸点的方式封装在所述基板上。本专利技术的闪存封装芯片通过将单独的Flash芯片和拓展芯片进行封装，复杂度较低、设计和生产周期较短、成本较低；Flash芯片的容量可扩展；而且两个芯片可并行工作，可以执行不同的指令操作；另外可以把不同工艺的Flash芯片和拓展芯片封装在一起，复用现有的芯片资源，降低开发成本，而且可以对单个的芯片进行更换，降低更换成本。附图说明图1是根据本专利技术第一实施例的闪存封装芯片的堆叠封装逻辑连接示意图2是根据本专利技术第一实施例的闪存封装芯片的堆叠封装原理示意图。图3是根据本专利技术第二实施例的闪存封装芯片的堆叠封装逻辑连接示意图4是根据本专利技术第二实施例的闪存封装芯片的堆叠封装原理示意图。图5是根据本专利技术的闪存封装芯片的封装流程图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施 方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。图1是根据本专利技术第一实施例的闪存封装芯片的堆叠封装逻辑连接示意图；图2是根据本专利技术第一实施例的闪存封装芯片的堆叠封装原理示意图。如图1和图2所示，本专利技术实施例提供了一种闪存封装芯片，该闪存封装芯片包含:基板11 ;闪存(Flash)芯片12 ；拓展芯片13，与Flash芯片12相互连接并封装在基板11上。其中，Flash芯片为串行外设接口闪存(SPI Flash)芯片。从图2可以看出，基板11的连接点为PAD_#，SPI Flash芯片12的连接点为Pin_a_n，拓展芯片13的连接点为Pin_b_n，基板11、SPI Flash芯片12和拓展芯片13分别通过各自的连接点相互连接封装。SPI Flash芯片和拓展芯片可以以并行排列或者堆叠的方式封装在所述基板上。在本专利技术第二实施例中，SPI Flash芯片12和拓展芯片13以堆叠的方式封装在基板11上。优选地，在SPI Flash芯片12和拓展芯片13以堆叠的方式封装在基板11上时，若SPIFlash芯片12的面积大于拓展芯片13的面积，SPIFlash芯片12设置在基板11上，拓展芯片13设置在SPI Flash芯片12上；若SPI Flash芯片12的面积小于拓展芯片13的面积时，拓展芯片13设置在基板11上，SPI Flash芯片12设置在拓展芯片13上。本专利技术实施例将单独的Flash芯片和拓展芯片进行封装，复杂度较低，设计和生产周期较短、成本较低；Flash芯片可以进行组合扩展封装增大容量，因此SPI Flash芯片的容量可扩展；而且Flash芯片和拓展芯片两个芯片可并行工作，可以执行不同的指令操作；还可以把不同工艺的Flash芯片和拓展芯片封装的一起，复用现有的芯片资源，降低开发成本，而且可以对单个的芯片进行更换，降低更换成本；而且由于采用堆叠的方式进行封装，这样封装的面积较小，封装成本也较低。由于可以选择独立的SPI Flash芯片12，因此可以选择不同的容量来满足不同系统的需求。优选地，SPI Flash芯片12的容量为81、161、3211、64]\1、1281或2561甚至更高，拓展芯片为应答保护单调计数器(RPMC)芯片。SPIFlash芯片12可以重复利用现有的SPIFlash芯片。其中，SPI Flash芯片12和拓展芯片13可以通过引线键合或倒装凸点等方式封装在基板11上。优选地，SPI Flash芯片12可以为支持串行闪存可搜寻参数(SFDP)功能的芯片，或者拓展芯片13为支持SFDP功能的芯片。但是当SPI Flash芯片12和拓展芯片13都为支持SFDP功能的芯片时，SPI Flash芯片12或拓展芯片13设置有控制开关，或者SPIFlash芯片12和拓展芯片13分别设置有控制开关，控制开关用来控制SFDP功能的开启或关闭。其中，所述控制开关可以使用控制位来实现。一般来说，若SPI Flash芯片12不支持SFDP功能，可将SFDP功能在拓展芯片13中实现；若SPI Flash芯片12支持SFDP功能，拓展芯片13可以不支持SFDP功能；若SPIFlash芯片12与拓展芯片13都支持SFDP，可以在SPIFlash芯片12或者拓展芯片13中设置一个控制开关来开启或关闭SFDP功能，也可以SPI Flash芯片12和拓展芯片13两者中都设置控制开关，可以选择其中一个开启，另一个关闭。本专利技术实施例较快本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种闪存封装芯片，其特征在于，包含：基板；闪存芯片；拓展芯片，与所述闪存芯片相互连接并封装在所述基板上。
【技术特征摘要】
1.一种闪存封装芯片，其特征在于，包含: 基板； 闪存芯片； 拓展芯片，与所述闪存芯片相互连接并封装在所述基板上。2.根据权利要求1所述的闪存封装芯片，其特征在于，所述闪存芯片为串行外设接口闪存芯片。3.根据权利要求1所述的闪存封装芯片，其特征在于，所述拓展芯片为应答保护单调计数器芯片。4.根据权利要求1所述的闪存封装芯片，其特征在于，所述闪存芯片为支持串行闪存可搜寻参数功能的芯片。5.根据权利要求1所述的闪存封装芯片，其特征在于，所述拓展芯片为支持串行闪存可搜寻参数功能的芯片。6.根据权利要求1所述的闪存封装芯片，其特征在于，所述闪存芯片和所述拓展芯片都为支持串行闪存可搜寻参数功能的芯片，所述闪存芯片或所述拓展芯片设置有控制开关，或者所述闪存芯片和所述拓展芯片分别设置有控制开关，所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡洪，舒清明，张赛，张建军，刘江，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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