一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法技术

本发明专利技术公开了一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法，包括内引线、由外引线A、外引线B以及两个凸台组成的引线框架，外引线A、外引线B分别与载片台连为一体，两个载片台上均设有凸台，内引线底面设有两个凸台，两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片，制造方法包括：引线框架置于烧结模具上，将第一、第二芯片贴装于外引线的载片台上，芯片上盖上内引线，将装配好的产品进行烧结，本发明专利技术提高了二极管的电压值及TVS等器件的功率，芯片厚度变化无需修改内引线，可容芯片的厚度尺寸大，本发明专利技术为双芯片横向串联二极管，作为整流器件若其中一个芯片被击穿，另一个芯片仍可继续工作。

Double chip transverse series type diode packaging structure and manufacturing method

The invention discloses a double chip transverse series diode package structure and manufacturing method, which comprises a lead frame, wire by the outer leads A and lead B and two bosses. The outer lead A and lead B respectively with the stage together, the two stage was the boss is arranged, the inner lead bottom surface is provided with two bosses, the two stage of the two boss and the inner bottom surface of the wire between the two convex set the first chip and the second chip manufacturing method comprises: a lead frame in a sintering die on the stage the first and second chips are mounted on the line on the chip covered wire, sintering the assembled product, the invention improves the power diode voltage and TVS devices, the chip thickness changes without modifying the inner leads, thickness of capacity of chip, the invention is double The chip transverse series diode is used as the rectifier. If one of the chips is broken, another chip can continue to work.

【技术实现步骤摘要】
一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件
，具体是一种双芯片横向串联型高耐压表面贴装的二极管封装结构和制造方法。
技术介绍
随着电子应用技术的不断发展，电子电路的集成度越来越高，集成电路板上的空间越来越有限，二极管所需承受的反向工作电压越来越高。但二极管内部PN结所能承受的电压有限，因此需要采用两只或以上二极管串联分压的模式来实现。在此基础上，若将两个或以上二极管通过内串联的方式集成到一个产品里，则可以有效的减少空间。目前市场销售的大部分二极管为单芯片二极管，此类二极管为单芯片二极管，体积小，结构简单，但所能达到的电压值较小。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法。本专利技术采用的技术方案是：一种双芯片横向串联型的二极管封装结构，其特征在于：包括内引线、由外引线A、外引线B以及两个凸台组成的引线框架，所述外引线A、外引线B分别与载片台连为一体，所述两个载片台上均设有凸台，所述内引线底面设有两个凸台，所述两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片。所述第一芯片的阳极面与内引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双芯片横向串联型的二极管封装结构，其特征在于：包括内引线、由外引线A、外引线B以及两个凸台组成的引线框架，所述外引线A、外引线B分别与载片台连为一体，所述两个载片台上均设有凸台，所述内引线底面设有两个凸台，所述两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片。

【技术特征摘要】
1.一种双芯片横向串联型的二极管封装结构，其特征在于：包括内引线、由外引线A、外引线B以及两个凸台组成的引线框架，所述外引线A、外引线B分别与载片台连为一体，所述两个载片台上均设有凸台，所述内引线底面设有两个凸台，所述两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片。2.根据权利要求1所述的一种双芯片横向串联型的二极管封装结构，其特征在于：所述第一芯片的阳极面与内引线底面左侧的凸台焊接在一起，其阴极面与外引线A的载片台顶面的凸台焊接在一起。3.根据权利要求1所述的一种双芯片横向串联型的二极管封装结构构，其特征在于：所述第二芯片的阴极面与内引线底面右侧的凸台焊接在一起，其阳极面与外引线B的载片台顶面的凸台焊接在一起。4.根据权利要求1所述的一种双芯片横向串联型的二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成军，王成森，薛治祥，姚霜霜，张松，倪亮亮，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32