半导体装置制造方法及图纸

半导体装置(1)主要具备半导体元件基板(3)、半导体元件(13)、壳体件(15)以及密封树脂(29)。在半导体元件基板(3)中，在基底板(5)的表面隔着绝缘基板(7)配置有导电性的第1电路基板(9)。在壳体件(15)设置有从内壁向着配置有半导体元件(13)的一侧突出的电路基板台(17)和电极端子(19)。在电路基板台(17)直接安装有导电性的第2电路基板(21)。电极端子(19)与第2电路基板(21)通过布线(25)电连接，第2电路基板(21)与半导体元件(13)通过布线(27)电连接。

Semiconductor device

The semiconductor device (1) is provided with a semiconductor component substrate (3), a semiconductor element (13), a housing member (15), and a sealing resin (29). In the semiconductor element substrate (3), a conductive first circuit substrate (9) is disposed across an insulating substrate (7) across the surface of the base plate (5). A circuit board table (17) and an electrode terminal (19) projecting from the inner wall toward one side of the semiconductor element (13) are provided in the housing member (15). A conductive second circuit board (21) is directly mounted on the circuit board table (17). The electrode terminal (19) is electrically connected with the second circuit substrate (21) via wiring (25), and the second circuit substrate (21) is electrically connected with the semiconductor element (13) via wiring (27).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及用密封树脂密封功率用的半导体元件的半导体装置。
技术介绍
随着产业设备、铁路车辆或者汽车等的高性能化，使用搭载于它们的半导体装置的状态的温度(使用温度)有上升的倾向。近年来，半导体元件的小型化、高耐压化、高电流密度化得以发展，对于与此相伴的半导体元件的高温工作的开发正在加速。特别是，碳化硅(SiC)或者氮化镓(GaN)等宽带隙半导体与硅(Si)半导体相比带隙大，作为适合于近年来半导体元件的开发的材料而受到关注。为了将能够进行高温工作的半导体元件装置化为半导体装置，需要即使半导体元件在150℃以上的高温下工作时，也要抑制密封树脂与其它部件的剥离以及绝缘基板的裂纹等，从而稳定地确保绝缘性。以往，提出了抑制这样的剥离以及裂纹等的方法。例如，在专利文献1中提出了如下方法：用线膨胀率低的高耐热密封树脂来密封芯片的周边，用抗氧化劣化性优良的密封材料覆盖半导体装置的表面，从而提高芯片的周边以及模块的可靠性。另外，在专利文献2中提出了如下方法：与搭载有半导体元件的第1绝缘基板独立地，在构成半导体装置的壳体部件的部分搭载通过焊接固定有电阻元件的第2绝缘基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：半导体元件基板，包括基底板、配置于所述基底板的表面的绝缘基板以及配置于所述绝缘基板的表面的导电性的第1电路基板；半导体元件，安装于所述半导体元件基板的所述第1电路基板；壳体件，以包围所述半导体元件的方式装配于所述半导体元件基板；电路基板台，设置于所述壳体件，以向着所述半导体元件位于的内侧突出的形态配置于与所述绝缘基板不同的高度位置；导电性的第2电路基板，直接配置于所述电路基板台的表面；电极端子，装配于所述壳体件；布线，经由所述第2电路基板将所述半导体元件与所述电极端子电连接；以及密封材料，被填充到由所述壳体件包围的区域，密封所述半导体元件、所述电路基板台以及所述布线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.30 JP 2015-0170001.一种半导体装置，具备：半导体元件基板，包括基底板、配置于所述基底板的表面的绝缘基板以及配置于所述绝缘基板的表面的导电性的第1电路基板；半导体元件，安装于所述半导体元件基板的所述第1电路基板；壳体件，以包围所述半导体元件的方式装配于所述半导体元件基板；电路基板台，设置于所述壳体件，以向着所述半导体元件位于的内侧突出的形态配置于与所述绝缘基板不同的高度位置；导电性的第2电路基板，直接配置于所述电路基板台的表面；电极端子，装配于所述壳体件；布线，经由所述第2电路基板将所述半导体元件与所述电极端子电连接；以及密封材料，被填充到由所述壳体件包围的区域，密封所述半导体元件、所述电路基板台以及所述布线。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电路基板台沿着所述壳体件的内壁配置。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述电路基板台的沿着所述内壁的长度被设定为10mm以上且100mm以下，所述电路基板台的从所述内壁突出的长度被设定为5mm以上且20mm以下，所述电路基板台的厚度被设定为1mm以上且10mm以下。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘基板与所述电路基板台之间的高度方向的距离被设定为3mm以上且10mm以下。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述电路基板台的与所述绝缘基板对置的一侧设置有以...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶勇辅，三村研史，原田耕三，殷晓红，原田启行，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP