半导体装置制造方法及图纸

根据一个实施方式，半导体装置具有基板、第1导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2导电层、以及第3导电层。第1导电层具有第1导电部与第2导电部。第1半导体芯片具有第1电极、第2电极、以及第3电极。第1电极与第1导电部连接。第2半导体芯片具有第4电极与第5电极。第4电极与第2导电部连接。第2导电层具有第1连接部与第2连接部。第1连接部与第2电极连接。第2连接部与第5电极连接。第2导电层在第1连接部与第2连接部之间具有间隙。第3导电层与第3电极连接。

Semiconductor device

According to one embodiment, the semiconductor device has a substrate, a first conductive layer, a first semiconductor chip, a second semiconductor chip, a second conductive layer, and a third conductive layer. The first conductive layer has a first conductive part and a second conductive part. The first semiconductor chip has a first electrode, a second electrode, and a third electrode. The first electrode is connected with the first conductive part. The second semiconductor chip has a fourth electrode and a fifth electrode. The fourth electrode is connected with the second conductive part. The second conductive layer comprises a first connecting part and a second connecting part. The first connecting part is connected with the second electrode. The second connecting part is connected with the fifth electrode. The second conductive layer is provided with a gap between the first connecting part and the second connecting part. The third conductive layer is connected with the third electrode.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置关联申请的引用本申请以2016年3月7日在先申请的日本专利申请2016－043303号的权利的利益为基础，并且主张其利益，在此通过引用包含其全部的内容。
这里说明的实施方式总体来说涉及半导体装置。
技术介绍
在包含具有开关功能的半导体芯片的半导体装置中，在开关时等产生噪声。此时，若形成于半导体装置内的谐振环的谐振频率与噪声的频率匹配，则噪声被放大。若噪声被放大，则即使半导体装置为断开状态，也成为导通状态，有半导体装置不再正常动作等的不良情况发生的可能性。
技术实现思路
实施方式提供一种能够减少半导体装置所包含的谐振环的谐振频率与噪声的频率产生匹配的可能性的半导体装置。根据一个实施方式，具有基板、第1导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2导电层、以及第3导电层。上述第1导电层设置在上述基板上。上述第1导电层具有第1导电部和第2导电部。上述第2导电部在第1方向上与上述第1导电部分离。上述第1半导体芯片设置在上述第1导电部上。上述第1半导体芯片具有第1电极、第2电极、以及第3电极。上述第1电极与上述第1导电部连接。上述第2半导体芯片设置在上述第2导电部上。上述第2半导体芯片具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：基板；第1导电层，具有第1导电部、以及在第1方向上与上述第1导电部分离的第2导电部，该第1导电层设置在上述基板上；第1半导体芯片，设置在上述第1导电部上，具有第1电极、第2电极、以及第3电极，上述第1电极与上述第1导电部连接；第2半导体芯片，设置在上述第2导电部上，具有第4电极和第5电极，上述第4电极与上述第2导电部连接；第2导电层，具有与上述第2电极连接的第1连接部、以及与上述第5电极连接的第2连接部，该第2导电层在上述基板上与上述第1导电层分离地设置，在上述第1方向上位于上述第1导电部与上述第2导电部之间，上述第2导电层在上述第1连接部与上述第2连接部之间具有间隙；以...

【技术特征摘要】
2016.03.07 JP 2016-0433031.一种半导体装置，具备：基板；第1导电层，具有第1导电部、以及在第1方向上与上述第1导电部分离的第2导电部，该第1导电层设置在上述基板上；第1半导体芯片，设置在上述第1导电部上，具有第1电极、第2电极、以及第3电极，上述第1电极与上述第1导电部连接；第2半导体芯片，设置在上述第2导电部上，具有第4电极和第5电极，上述第4电极与上述第2导电部连接；第2导电层，具有与上述第2电极连接的第1连接部、以及与上述第5电极连接的第2连接部，该第2导电层在上述基板上与上述第1导电层分离地设置，在上述第1方向上位于上述第1导电部与上述第2导电部之间，上述第2导电层在上述第1连接部与上述第2连接部之间具有间隙；以及第3导电层，在上述基板上与上述第1导电层以及上述第2导电层分离地设置，并与上述第3电极连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备第3半导体芯片，该第3半导体芯片在上述第1导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：松山宏，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP