功率模块制造技术

本发明专利技术的功率模块具备底板、第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片，第一半导体芯片的第三边或第四边中的至少一方与底板的侧端相邻地配置，在从第一半导体芯片的第一边到第二半导体芯片的一条边的距离的1/2的距离、从第一半导体芯片的第二边到第三半导体芯片的一条边的距离的1/2的距离、和从与底板的侧端相邻地配置的第一半导体芯片的第三边或第四边到底板的侧端的距离中，在距离最短处的边形成的第一半导体芯片的焊脚的长度形成为最短。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率模块
本专利技术涉及具备功率用的半导体芯片的功率模块。
技术介绍
在混合动力车或插电式混合动力车、电动汽车等车辆中，搭载有动力驱动用的高电压蓄电池、和用于将高电压蓄电池的直流高电压输出电力转化为交流高电压输出并驱动电动机的逆变器等。逆变器具备内置功率用的半导体芯片的功率模块。作为功率模块，已知在与散热板热耦合的一对导体板之间安装有半导体芯片的结构。另外，已知将导体板兼用作散热板的功率模块。半导体芯片具有一面和与一面相对的另一面，在被夹在一对导体板之间的状态下，半导体芯片的一面和另一面分别与一对导体板的一方或另一方焊接。也存在为了高安装密度化，而在一对导体板之间安装有多个半导体芯片的情况。另外，也有在一对导体板之间的半导体芯片的周围填充密封树脂的情况(例如，参考专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-244166号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题为了高安装密度化，要求进一步减小导体板上安装的半导体芯片之间的距离或者半导体芯片与导体板的周围轮廓的距离。但是，在现有技术中，半导体芯片彼此之间的距离、以及半导体芯片与导体板的周围轮廓的距离全部相等。因此，即使在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率模块，其特征在于，包括：底板；具有四条边的第一半导体芯片；具有四条边、焊接在所述底板上的第二半导体芯片，所述第二半导体芯片的所述四条边包括与所述第一半导体芯片的第一边相邻地配置的一条边；和具有四条边、焊接在所述底板上的第三半导体芯片，所述第三半导体芯片的所述四条边包括与所述第一半导体芯片的第二边相邻地配置的一条边，所述第一半导体芯片的第三边或第四边中的至少一方与所述底板的侧端相邻地配置，所述功率模块以如下方式形成：在从所述第一半导体芯片的第一边到所述第二半导体芯片的所述一条边的距离的1/2的距离、从所述第一半导体芯片的第二边到所述第三半导体芯片的所述一条边的距离的1/2的距离、和从与所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.06 JP 2015-0222571.一种功率模块，其特征在于，包括：底板；具有四条边的第一半导体芯片；具有四条边、焊接在所述底板上的第二半导体芯片，所述第二半导体芯片的所述四条边包括与所述第一半导体芯片的第一边相邻地配置的一条边；和具有四条边、焊接在所述底板上的第三半导体芯片，所述第三半导体芯片的所述四条边包括与所述第一半导体芯片的第二边相邻地配置的一条边，所述第一半导体芯片的第三边或第四边中的至少一方与所述底板的侧端相邻地配置，所述功率模块以如下方式形成：在从所述第一半导体芯片的第一边到所述第二半导体芯片的所述一条边的距离的1/2的距离、从所述第一半导体芯片的第二边到所述第三半导体芯片的所述一条边的距离的1/2的距离、和从与所述底板的所述侧端相邻地配置的所述第一半导体芯片的所述第三边或所述第四边到所述底板的侧端的距离中的、在距离最短处的边形成的所述第一半导体芯片的焊脚的长度最短。2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，以如下方式形成：从所述第一半导体芯片的所述第一边到所述第二半导体芯片的所述一条边的距离的1/2的距离、和从所述第一半导体芯片的所述第二边到所述第三半导体芯片的所述一条边的距离的1/2的距离，比从与所述底板的所述侧端相邻地配置的所述第一半导体芯片的所述第三边或第四边到所述底板的侧端的距离短，在所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边形成的所述焊脚的长度分别比在与所述底板的所述侧端相邻的所述第一半导体芯片的所述第三边或所述第四边形成的所述焊脚的长度短。3.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边是彼此相邻的边，所述第一半导体芯片的所述第三边和所述第四边分别与所述底板的彼此相邻的第一侧端和第二侧端相邻地配置，所述功率模块以如下方式形成：在所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边形成的焊脚的长度分别比在所述第一半导体芯片的所述第三边和所述第四边形成的所述焊脚的长度都短。4.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边是彼此相对的一对边，所述第一半导体芯片的所述第三边或所述第四边中的至少一方与所述底板的所述侧端相邻地配置，所述功率模块以如下方式形成：在所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边形成的所述焊脚的长度比在与所述底板的所述侧端相邻地配置的所述第一半导体芯片的所述第三边或所述第四边形成的所述焊脚的长度短。5.如权利要求4所述的功率模块，其特征在于：所述第一半导体芯片的第三边和所述第四边分别与所述底板的所述侧端相邻地配置，所述功率模块以如下方式形成：在所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边形成的所述焊脚的长度分别比在所述第一半导体芯片的所述第三边和所述第四边形成的焊脚的长度都短。6.如权利要求4所述的功率模块，其特征在于：还包括与所述第一半导体芯片的所述第三边相邻地配置的第四半导体芯片，所述第一半导体芯片的所述第四边与所述底板的所述侧端相邻地配置，所述功率模块以如下方式形成：在所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边形成的所述焊脚的长度分别比在所述第一半导体芯片的第三边和所述第四边形成的所述焊脚的长度都短。7.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于：所述第一半导体芯片的所述第一边和所述第二边是彼此相对的一对边，所述第一半导体芯片的所述第三边和所述第四边是彼此相对的另一对边，所述第一半导体芯片的所述第三边和所述第四边中的至少一方与所述底板的所述侧端相邻地配置，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下志郎，高木佑辅，志村隆弘，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP