功率模块制造技术

本发明专利技术涉及功率模块，提供一种即使在控制电源电压降低的情况下也能够防止半导体器件的热破坏的功率模块。功率模块（100）具备：驱动半导体器件（10）的IGBT（11）的驱动电路（20）；在IGBT（11）的集电极电流达到跳闸水平时进行IGBT（11）的保护工作的保护电路（30）；检测对驱动电路（20）供给的控制电源电压（VD）的控制电源电压检测电路（40）。保护电路（30）当控制电源电压（VD）变得比规定值低时，将感测电阻从电阻（R1）切换成电阻（R1、R2）的串联电路，由此降低跳闸水平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在功率控制用的半导体装置中使用的功率模块，特别涉及功率模块搭载的半导体器件的保护电路。
技术介绍
作为在功率控制用的半导体装置中使用的功率模块，已知具备用于对作为IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)等的开关元件的半导体器件进行保护来免受过电流、短路的影响的保护功能的模块。这样的功率模块通常是如下结构，即具备电阻(感测电阻，sense resistor)，将流到半导体器件的感测端子的电流(感测电流，sense current)变换成电压(感测电压，sense voltage);以及保护电路,基于该感测电压进行规定的保护工作(例如下述的专利文献1、2)。保护电路在感测电压达到规定的值的情况下，判断为在半导体器件中流过的电流超过了容许值，进行例如使半导体器件的工作停止等的保护工作。在现有的具备保护功能的功率模块中，存在由于感测电流相对于主电流的分流t匕、感测电阻的电阻值等的偏差，在保护电路开始保护工作的电流值、即所谓“短路保护(Short-circuit protection)跳闸水平” (SC 跳闸水平，SC t本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率模块，其特征在于具备：半导体器件；驱动电路，驱动所述半导体器件；保护电路，检测在所述半导体器件的主电极间流过的主电流，在该主电流达到跳闸水平时进行所述半导体器件的保护工作；活性工作检测部，检测所述半导体器件进行活性工作的情况；以及跳闸水平切换电路，当检测出所述半导体器件进行活性工作的情况时，降低所述跳闸水平。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：十河尚宏，富冈真吾，砂奥伸一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：