IGBT驱动保护电路制造技术

一种IGBT驱动保护电路，属于电气控制技术领域。包括驱动芯片、隔离光耦和限压二极管；其中驱动芯片选用VLA517-01R，隔离光耦选用HCPL2602，限压二极管选用1N4733和1N4744。本发明专利技术的优点：VLA517-01R是为系统提供的快速驱动IGBT的专用模块，整个电路延迟时间不超过1μs，最高工作频率达40～50kHz，只需外部一个20V电源供电，内部可产生一个正驱动电压及反向截止电压，模块内部含有过流保护和故障信号输出电路。

【技术实现步骤摘要】
IGBT驱动保护电路
本专利技术属于电气控制
，特别涉及一种IGBT的驱动保护电路。
技术介绍
随着社会工业化的发展，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的应用越来越广泛。目前使用较多的IGBT驱动电路由电力电子元件搭建而成，电路的元器件较多，结构复杂稳定性差。一旦电路出现故障，维修需要检测的元器件多、工作量大、严重影响系统的正常运行。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术提供一种IGBT驱动保护电路。本专利技术的技术方案是这样实现的包括驱动芯片、隔离光耦和限压二极管；其中驱动芯片选用VLA51 7-01R，隔离光耦选用HCPL2602，限压二极管选用1N4733和1N4744 ； LA517-01R接收到驱动信号后输入端15和14管脚有IOmA的电流流过时，内部光耦导通，3 脚输出+15V的驱动电压使IGBT导通，驱动信号截止，光耦截止，3脚输出反向-5V的电压使 IGBT截止。1N4733和1N4744限制输入到IGBT的电压最大为15V最小为-5V，可靠的驱动 IGBT通断，当系统出现故障时VLA517-01R封锁3脚的信号输出，同时输出故障信号的经过光耦HCPL2602隔离后发送给处理器。驱动保护电路以VLA517-01R为核心搭建驱动保护电路。驱动信号经过电路处理后产生+15V的IGBT导通信号和-5V的IGBT关断信号，可靠的驱动IGBT通断。为了防止过电流造成的IGBT损坏，电路必须有完善的故障检测和保护环节，当检测到系统故障时并迅速关断驱动信号的输出，并将故障反馈给处理器。因为IGBT的通态饱和压降UCE与集电极电流IC呈近似线性关系，所以IGBT的过电流保护可以采用集电极电压的检测方法，即通过测量UCE的大小来判断集电极电流的大小来实现。本专利技术的优点VLA517_01R是为系统提供的快速驱动IGBT的专用模块，整个电路延迟时间不超过I μ S，最高工作频率达40 50kHz，只需外部一个20V电源供电，内部可产生一个正驱动电压及反向截止电压，模块内部含有过流保护和故障信号输出电路。电路采用正压驱动负压关断技术，保证了 IGBT动作的可靠性，防止误操作，同时电路具有故障检测、保护和错误信息反馈功能。附图说明图I为IGBT驱动保护电路图。具体实施方式本专利技术的详细结构结合实施例加以说明。3该IGBT驱动保护电路图如图I所示，驱动芯片选用VLA517-01R，隔离光耦选用 HCPL2602，限压二极管选用 1N4733 和 1N4744。VLA517-01R接收到驱动信号后输入端15和14管脚有IOmA的电流流过时，内部光耦导通，3脚输出+15V的驱动电压使IGBT导通，驱动信号截止，光耦截止，3脚输出反向-5V的电压使IGBT截止。1N4733和1N4744限制输入到IGBT的电压最大为15V最小为-5V，可靠的驱动IGBT通断。当系统出现故障时VLA517-01R封锁3脚的信号输出，同时输出故障信号的经过光耦HCPL2602隔离后发送给处理器。因为IGBT的通态饱和压降UCE 与集电极电流IC呈近似线性关系，所以IGBT的过电流保护可以采用集电极电压的检测方法，即通过测量UCE的大小来判断集电极电流的大小来实现。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT的驱动保护电路，其特征在于：包括驱动芯片、隔离光耦和限压二极管；其中驱动芯片选用VLA517？01R，隔离光耦选用HCPL2602，限压二极管选用1N4733和1N4744；VLA517？01R接收到驱动信号后输入端15和14管脚有10mA？的电流流过时,内部光耦导通,3脚输出+15V的驱动电压使IGBT导通，驱动信号截止，光耦截止，3脚输出反向？5V的电压使IGBT截止。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT的驱动保护电路，其特征在于包括驱动芯片、隔离光耦和限压二极管；其中驱动芯片选用VLA517-01R，隔离光耦选用HCPL2602，限压二极管选用1N4733和1N4744 ；VLA517-01R接收到驱动信号后输入端15和14管脚有IOmA的电流流过时，内部光耦导通，3脚输出+15V的驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翠，
申请(专利权)人：沈阳创达技术交易市场有限公司，
类型：发明
国别省市：