驱动IGBT的方法技术

本发明专利技术提供了一种驱动IGBT的方法，其中通过减小IGBT的栅极-发射极电压的斜率以减小施加在IGBT两端的瞬态电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种驱动IGBT的方法，尤其涉及一种驱动用作限流器的电力装置的IGBT的方法。
技术介绍
IGBT (绝缘栅双极晶体管)是通过栅极-发射极端子的电压驱动装置，其结合了MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)简单的栅极驱动特性和BJT (双极结晶体管)的高电流和低饱和电压性能。IGBT具有类似MOSFET的高输入阻抗，以及BJT的高电流和低饱和电压性能。 图IA是图示出IGBT中使用的符号的示意图，其中D指二极管，C指集电极，E指发射极以及G指栅极。图IB是图示出IGBT的关断特性的曲线图。如果栅极电压超过基于栅极静电容量的阈值电压，则IGBT被导通，并且如果栅极电压下降至低于阈值电压，则IGBT被关断。在IGBT的切换过程中产生的集电极-发射极电压(Vce)由导线上的杂散电感和输入电压引起的瞬态电压产生。因此，存在对能够限制瞬态电压电平的IGBT驱动技术的需求。图2是图示出根据现有技术的IGBT驱动方法的示意图。参照图2，瞬态电压^在并联电路中在IGBT的两端产生，其中在流至IGBT 100的电流的关断操作过程中，常规的IGBT 100和无源元件R、L和C200并联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动绝缘栅双极晶体管的方法，其被配置为减小在绝缘栅双极晶体管驱动集成电路的关断过程中施加在绝缘栅双极晶体管两端的瞬态电压，所述方法包括：减小绝缘栅双极晶体管的栅极？发射极电压的斜率以减小绝缘栅双极晶体管两端的瞬态电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李京昊，朴海容，房承炫，沈政煜，崔源寯，金敃志，
申请(专利权)人：LS产电株式会社，
类型：发明
国别省市：