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本发明涉及功率模块，提供一种即使在控制电源电压降低的情况下也能够防止半导体器件的热破坏的功率模块。功率模块（100）具备：驱动半导体器件（10）的IGBT（11）的驱动电路（20）；在IGBT（11）的集电极电流达到跳闸水平时进行IGBT（...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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