复合封装薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种复合封装薄膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、将待密封器件放置在反应腔体内；S2、采用原子层沉积技术在所述待密封器件的表面形成非晶态的第一氧化薄膜层；S3、采用原子层沉积技术在所述第一氧化薄膜层上形成非晶态的第二氧化薄膜层；S4、依次重复上述步骤S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层；多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层交替叠合，形成复合封装薄膜。本发明专利技术的复合封装薄膜，由两种无机薄膜交替层叠构成，克服单层薄膜由于厚度增加产生细小裂纹的问题，具有更好的密封性，可作为OLED器件的密封结构，延长OLED器件的使用寿命。

Composite encapsulation film and preparation method thereof

The invention discloses a composite packaging film and preparation method thereof. The preparation method comprises the following steps: S1, will be placed in the sealing device in the reaction chamber; the first oxide film layer S2, using atomic layer deposition technique to surface sealing devices in the formation of amorphous; S3, using atomic layer deposition technique the second layer of amorphous oxide film formed on the first oxide film layer; S4, S2 and S3 by repeating the steps repeatedly, sealing devices formed on the surface of the first multilayer oxide film layer and the second layer multilayer oxide film in the multilayer films; the first oxide layer and the second layer the oxidation film layer alternately laminated, forming a composite packaging film. Composite packaging film of the invention, by two kinds of inorganic thin film laminated alternately, monolayer film thickness increased due to overcome tiny crack problems, has better sealing performance, can be used as a OLED device sealing structure, prolong the lifetime of OLED devices.

【技术实现步骤摘要】
复合封装薄膜及其制备方法
本专利技术涉及显示器密封
，尤其涉及一种用于OLED器件的复合封装薄膜及其制备方法。
技术介绍
由于OLED对水汽和氧气非常敏感，所以有效的封装技术对OLED器件的产业化发展尤为关键。薄膜封装可以对刚性或柔性基板的OLED器件进行封装，从而使器件向更薄化方向发展，并可以实现柔性OLED的可曲折性及可卷绕行的特性，为柔性显示技术带来突破性的进展。在薄膜封装技术中，采用原子层沉积(ALD)可以制备出高密度、无针孔及均匀性好的薄膜，被认为是最有应用前景的薄膜封装技术。但是单层Al2O3薄膜是非晶态的，随着薄膜厚度的增加很容易产生一些细小的裂纹，导致薄膜对H2O和O2的阻隔性变差，从而影响器件的性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种克服单层薄膜由于厚度增加产生细小裂纹的复合封装薄膜及其制备方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种复合封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将待密封器件放置在反应腔体内；S2、采用原子层沉积法在所述待密封器件的表面形成非晶态的第一氧化薄膜层；S3、采用原子层沉积法在所述第一氧化薄膜层上形成非晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将待密封器件放置在反应腔体内；S2、采用原子层沉积法在所述待密封器件的表面形成非晶态的第一氧化薄膜层；S3、采用原子层沉积法在所述第一氧化薄膜层上形成非晶态的第二氧化薄膜层；S4、依次重复上述步骤S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层；多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层交替叠合，形成复合封装薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将待密封器件放置在反应腔体内；S2、采用原子层沉积法在所述待密封器件的表面形成非晶态的第一氧化薄膜层；S3、采用原子层沉积法在所述第一氧化薄膜层上形成非晶态的第二氧化薄膜层；S4、依次重复上述步骤S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层；多层所述第一氧化薄膜层和多层所述第二氧化薄膜层交替叠合，形成复合封装薄膜。2.根据权利要求1所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述反应腔体内的温度为50-100℃，压力为2×10-3-2×10-5mbar；步骤S3中，所述反应腔体内的温度为50-100℃，压力为2×10-3-2×10-5mbar。3.根据权利要求1所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2包括：S2.1、向所述反应腔体内通入三甲基铝0.25s，载气量为50-300sccm，氮气吹扫10s；S2.2、通入水汽0.25s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；循环步骤S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度为1-30nm的所述第一氧化薄膜层；该第一氧化薄膜层为氧化铝薄膜层。4.根据权利要求3所述的复合封装薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：S3.1、向所述反应腔体内通入四氯化钛0.2s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；S3.2、通入水汽0.2s，氮气吹扫10s，载气量为50-300sccm；循环步骤S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜层上形成厚度为1-50nm的所述第二氧化薄膜层；该第二氧化薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：茆胜，
申请(专利权)人：茆胜，
类型：发明
国别省市：广东,44