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一种OLED微型显示器及其焊盘键合方法技术

技术编号:16758829 阅读:215 留言:0更新日期:2017-12-09 03:53
本发明专利技术涉及一种OLED微型显示器及其焊盘键合方法,所述OLED微型显示器的焊盘键合方法包括以下步骤:S1、在IC基片上制备焊盘凹槽对应的图形;S2、根据所述图形在所述IC基片上刻蚀出焊盘凹槽;S3、以铜填埋所述焊盘凹槽后,制备铜连接柱;S4、在所述IC基片上制备OLED发光单元;S5、将所述IC基片上的铜连接柱与PCB板上的焊盘进行键合,完成OLED微型显示器的焊盘键合。本发明专利技术能减少焊线和封胶区域,解决了OLED微型显示器本身的IC基片与PCB板连接时出现的焊线和封胶区域过大的问题。

A OLED micro display and welding disk bonding method

The invention relates to a method and a OLED micro display and key pad, pad key of the OLED micro display method comprises the following steps: S1, were prepared on IC substrate pad groove corresponding to the graphics; S2, based on the graphic etched pad in the groove on the base of IC S3; to the landfill, copper pad groove, preparation of copper connecting column; S4, on the IC substrates by OLED light emitting unit; S5, the IC substrate connection pad copper column and PCB plate on the bonding pads, OLED Mini keys do the display. The invention can reduce the welding line and the sealing area, and solves the problem of too large welding line and sealing area when the IC substrate and the PCB board connect to the OLED micro display device.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED微型显示器及其焊盘键合方法
本专利技术涉及OLED微型显示器制造领域,更具体地说,涉及一种OLED微型显示器以及OLED微型显示器的焊盘键合方法。
技术介绍
OLED(有机发光二极管)微型显示器属于一种硅基显示器。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸,可以实现显示IC基片的高度集成化。一般的OLED微型显示器直接在IC基片上制备像素结构和OLED发光单元,再经过薄膜封装、盖片封装等形式制备成微型显示器。尽管硅基OLED微型显示器本身的显示部分可以做到0.5英寸甚至更小,但是其硅基IC基片与PCB板连接时出现的焊线和封胶区域会占用额外的空间,并且随着显示器尺寸的缩小,其占空的比例会越来越大。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种能减少焊线和封胶区域的焊盘键合方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种OLED微型显示器的焊盘键合方法,该方法包括以下步骤:S1、在IC基片上制备焊盘凹槽对应的图形;S2、根据所述图形在所述IC基片上刻蚀出焊盘凹槽;S3、以铜填埋所述焊盘凹槽后,制备铜连接柱;S4、在所述IC基片上制备OLED发光单元;S5、将所述IC基片上的铜连接柱与PCB板上的焊盘进行键合,完成OLED微型显示器的焊盘键合。优选地,所述IC基片为IC硅基片,所述步骤S2包括:采用TSV工艺在IC基片上根据所述图形刻蚀出所述焊盘凹槽。优选地,所述步骤S1包括:用光刻法在所述IC基片上制备焊盘凹槽对应的光刻胶图形;所述步骤S2包括:采用TSV工艺在所述IC基片上根据所述光刻胶图形刻蚀出所述焊盘凹槽。优选地,在执行所述步骤S3前,还包括以下步骤:将所述IC基片上的所述图形去除。优选地,所述步骤S3包括:S31、采用电镀法对所述焊盘凹槽进行铜填埋;S32、对所述IC基片的正面和背面分别进行CMP工艺,直至所述IC基片的正面和背面露出铜连接柱。优选地,所述步骤S4包括:S41、在所述IC基片的正面对应所述铜连接柱制备阳极电极层;S42、在所述阳极电极层上方依次制备OLED层、阴极电极层和密封层。优选地,所述步骤S5包括:将所述IC基片背面的铜连接柱与所述PCB板正面的焊盘直接键合,完成OLED微型显示器的焊盘键合。优选地,在所述步骤S4之后,所述步骤S5之前,还包括:对所述OLED发光单元进行老化测试、光学测试和电学测试后,挑选合格品进入所述步骤S5。本专利技术还提供一种OLED微型显示器,所述OLED微型显示器包括IC基片和PCB板,所述IC基片设有多个贯穿所述IC基片的铜连接柱,所述PCB板上设有焊盘,所述IC基片一面上的铜连接柱与所述焊盘键合。优选地,所述IC基片的背离所述焊盘的一面依次设有阳极电极层、OLED层、阴极电极层和密封层。实施本专利技术,具有以下有益效果:能减少焊线和封胶区域,解决了OLED微型显示器本身的IC基片与PCB板连接时出现的焊线和封胶区域过大的问题,同时又能实现OLED微型显示器的IC基片与PCB板的键合。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明,附图中:图1是本专利技术OLED微型显示器的焊盘键合方法的流程图;图2-图8是本专利技术OLED微型显示器的焊盘键合方法的各步骤中的结构示意图。具体实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。本专利技术公开了一种OLED微型显示器的焊盘键合方法,该方法能减少焊线和封胶区域,解决了OLED微型显示器本身的IC基片与PCB板连接时出现的焊线和封胶区域过大的问题,同时又能实现OLED微型显示器的IC基片与PCB板的键合。参阅图1-图8,本专利技术OLED微型显示器的焊盘键合方法包括以下步骤:S1、在IC基片1上制备焊盘凹槽3对应的图形2(如图2所示)。其中,IC基片1是指附有IC的基片。优选地,步骤S1包括:用光刻法在IC基片1上制备焊盘凹槽3对应的光刻胶图形。具体的,步骤S1包括以下步骤:a、在黄光条件下,在IC基片1上覆上光刻胶。可以理解地,光刻胶对大部分可见光敏感,对黄光不敏感,在黄光室进行覆光刻胶的操作,可以避免其他可见光照射到光刻胶而发生曝光反应。光刻胶可以是固态光刻胶或者液态光胶,若是固态光刻胶,则可以采用覆膜方式将光刻胶覆到IC基片上,若是胶状光刻胶,则可以用涂覆的方式将光刻胶涂覆到IC基片1上;b、将覆上光刻胶的IC基片1放置在掩膜版上,曝光光刻胶。在覆光刻胶时,应注意使光刻胶厚度均匀,若光刻胶的厚度不均匀,容易致使在曝光过程中,入射光与反射光之间相互干涉,而导致显影后,在侧壁上产生波浪状的不平整的现象;c、使用显影液将光刻胶上的图案显影,去除光刻胶中没有发生曝光反应的区域。可以理解地,光刻胶在显影液中溶解,而已发生曝光反应的光刻胶在显影液中没有溶解,故可去除没有发生曝光反应的区域;d、采用蚀刻液对IC基片1进行蚀刻,去除IC基片1中没有覆盖有已曝光的光刻胶的区域,得到焊盘凹槽3对应的光刻胶图形。可以理解地,蚀刻液为可与IC基片1反应而不与曝光后的光刻胶反应的溶液。在蚀刻过程中,蚀刻时间的控制至关重要;若蚀刻时间过短,容易导致需要蚀刻部分未完全蚀刻掉;若蚀刻时间过长,容易出现钻蚀现象。S2、根据图形2在IC基片1上刻蚀出焊盘凹槽3(如图3所示)。IC基片1可为硅基IC基片,优选地,步骤S2包括:采用TSV工艺在IC基片1上根据图形2刻蚀出焊盘凹槽3。当图形2为上述的光刻胶图形时,步骤S2包括:采用TSV工艺在IC基片1上根据光刻胶图形刻蚀出焊盘凹槽3。本专利技术中提到的TSV(ThroughSiliconVia)即:穿透硅通孔技术,其具体操作为:使用光刻及等离子刻蚀法在硅片需要开孔的位置刻蚀出凹槽。优选地,该凹槽为深宽比大于10:1的凹槽。在步骤S2之后,执行步骤S3前,还包括以下步骤:将IC基片1上的图形2除去(如图4所示)。具体地,当图形2为光刻胶图形时,可以采用去墨液将光刻胶图形去除。S3、以铜4填埋焊盘凹槽3后,制备铜连接柱5(如图5所示)。优选地,该步骤S3包括:S31、采用电镀法对焊盘凹槽3进行铜填埋;S32、对IC基片1的正面和背面分别进行CMP工艺,直至IC基片1的正面和背面露出铜连接柱5(如图6所示)。即:对IC基片1的正面进行CMP工艺,直至IC基片1的正面露出铜连接柱5端面;对IC基片1的背面进行CMP工艺,直至IC基片1的背面露出铜连接柱5端面。本专利技术中提到的CMP是指化学机械抛光。其中,对IC基片1背面进行CMP工艺的操作步骤如下:(1)、将IC基片1的正面贴在抛光机机台上;(2)、加入抛光液;(3)、利用抛光液的化学腐蚀和机械研磨作用将IC基片1的背面厚度减薄,直至IC基片1背面露出铜连接柱端面;(4)、取下IC基片1,清洗IC基片1。对IC基片1的正面进行CMP工艺的操作步骤如下:(1)、将IC基片1的背面贴在抛光机机台上;(2)、加入抛光液;(3)、利用抛光液的化学腐蚀和机械研磨作用将IC基片1的正面厚度减薄,直至其表面的铜层全部磨掉,至刚好到达铜连接柱5上端面的位置;(4)、取下IC基片1,清洗IC基片1。S4、在IC基片1上制备OLED发光单元(如图7所示)。优选地,该步骤S4包括:S4本文档来自技高网...
一种OLED微型显示器及其焊盘键合方法

【技术保护点】
一种OLED微型显示器的焊盘键合方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在IC基片上制备焊盘凹槽对应的图形;S2、根据所述图形在所述IC基片上刻蚀出焊盘凹槽;S3、以铜填埋所述焊盘凹槽后,制备铜连接柱;S4、在所述IC基片上制备OLED发光单元;S5、将所述IC基片上的铜连接柱与PCB板上的焊盘进行键合,完成OLED微型显示器的焊盘键合。

【技术特征摘要】
1.一种OLED微型显示器的焊盘键合方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在IC基片上制备焊盘凹槽对应的图形;S2、根据所述图形在所述IC基片上刻蚀出焊盘凹槽;S3、以铜填埋所述焊盘凹槽后,制备铜连接柱;S4、在所述IC基片上制备OLED发光单元;S5、将所述IC基片上的铜连接柱与PCB板上的焊盘进行键合,完成OLED微型显示器的焊盘键合。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述IC基片为IC硅基片,所述步骤S2包括:采用TSV工艺在所述IC基片上根据所述图形刻蚀出所述焊盘凹槽。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1包括:用光刻法在所述IC基片上制备焊盘凹槽对应的光刻胶图形;所述步骤S2包括:采用TSV工艺在所述IC基片上根据所述光刻胶图形刻蚀出所述焊盘凹槽。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在执行所述步骤S3前,还包括以下步骤:将所述IC基片上的所述图形去除。5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于,所述步骤S3包括:S31、采用电镀法对所述焊盘凹槽进行铜填埋;S32、对所述IC基片的正...

【专利技术属性】
技术研发人员:茆胜
申请(专利权)人:茆胜
类型:发明
国别省市:广东,44

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