有机发光二极管显示器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括基底、半导体、栅电极、被连接到半导体的第一部分的源电极、被连接到半导体的第二部分的漏电极、以及被连接到漏电极的像素电极。源电极、漏电极和像素电极中的每个包括屏障金属层、低电阻金属层、金属氧化物层、以及被设置在低电阻金属层与金属氧化物层之间的接触辅助层。源电极、漏电极和像素电极各自具有台阶形状。

Organic light emitting diode display and its manufacturing method

The present invention relates to an organic light emitting diode display and a manufacturing method. The organic light emitting diode display includes a substrate, a semiconductor, a gate electrode, a source electrode connected to the first part of the semiconductor, a drain electrode connected to the second part of the semiconductor, and a pixel electrode connected to the drain electrode. Each of the source electrode, drain electrode and pixel electrode includes barrier metal layer, low resistance metal layer, metal oxide layer, and a contact auxiliary layer disposed between the low resistance metal layer and the metal oxide layer. The source electrode, the leakage electrode and the pixel electrode each have the shape of the step.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制造方法相关申请的交叉引用此申请要求2016年6月1日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2016-0068341号的优先权和权益，其全部内容通过引用被整体合并于此。
本公开涉及显示设备，更具体地，涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示器包括两个电极和被插入在其间的有机发射层。从一个电极注入电子，从另一个电极注入空穴。电子和空穴在有机发射层内结合以产生激子。所产生的激子随着它们衰减以光的形式释放能量，以这种方式产生光。OLED显示设备通常包括多个像素。每个像素包括作为自发射器件的有机发光二极管，并且在每个像素中，形成用于驱动有机发光二极管的多个薄膜晶体管。在每个像素中还形成至少一个电容器。多个薄膜晶体管通常包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管两者。通过执行使用多个掩模并/或多次使用相同的掩模的光刻工艺来制造电极、有机发射层、薄膜晶体管等。使用掩模的工艺显著增加了制造成本，因此，随着掩模数量的增加，制造成本增加。
技术实现思路
一种有机发光二极管显示器包括基底、半导体、栅电极、被连接到半导体的第一部分的源电极、被连接到半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基底；被设置在所述基底上的半导体；被设置在所述半导体上的栅电极；被连接到所述半导体的第一部分的源电极；被连接到所述半导体的第二部分的漏电极；和被连接到所述漏电极的像素电极，其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极中的每个包括：屏障金属层；被设置在所述屏障金属层上的低电阻金属层；被设置在所述低电阻金属层上的金属氧化物层；和被设置在所述低电阻金属层与所述金属氧化物层之间的接触辅助层，其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极各自具有第一层比第二层更宽的台阶形状，所述第二层被直接设置在所述第一层上。

【技术特征摘要】
2016.06.01 KR 10-2016-00683411.一种有机发光二极管显示器，包括：基底；被设置在所述基底上的半导体；被设置在所述半导体上的栅电极；被连接到所述半导体的第一部分的源电极；被连接到所述半导体的第二部分的漏电极；和被连接到所述漏电极的像素电极，其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极中的每个包括：屏障金属层；被设置在所述屏障金属层上的低电阻金属层；被设置在所述低电阻金属层上的金属氧化物层；和被设置在所述低电阻金属层与所述金属氧化物层之间的接触辅助层，其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极各自具有第一层比第二层更宽的台阶形状，所述第二层被直接设置在所述第一层上。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中在作为所述第一层的所述接触辅助层与作为所述第二层的所述金属氧化物层之间形成台阶，并且其中所述接触辅助层具有大于所述接触辅助层的顶部宽度的底部宽度，所述低电阻金属层具有在尺寸上等于所述接触辅助层的所述顶部宽度的底部宽度，并且所述低电阻金属层具有小于所述低电阻金属层的所述底部宽度的顶部宽度，所述屏障金属层具有在尺寸上等于所述低电阻金属层的所述顶部宽度的底部宽度，并且所述屏障金属层具有小于所述屏障金属层的所述底部宽度的顶部宽度。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述屏障金属层包括钛、钼、钛合金或钼合金，所述低电阻金属层包括铝、铜、铝合金或铜合金，所述接触辅助层包括铝与镍、镧、锗、铜、钴或钕的合金，并且所述金属氧化物层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述漏电极和所述像素电极一体形成。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极中的每个还包括被设置在所述低电阻金属层与所述接触辅助层之间的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括钛或钼。6.一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：在基底上形成半导体；在所述半导体上形成栅电极；在所述半导体和所述栅电极二者上形成层间绝缘层；对所述层间绝缘层图案化以形成暴露所述半导体的第一部分和第二部分的接触孔；在所述层间绝缘层上顺序沉积屏障金属材料层、低电阻金属材料层、接触辅助材料层和金属氧化物材料层；以及通过对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成虎，许宗茂，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR