制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件技术

公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第一外延层（100b）上。覆盖第二加强条（362）的第二外延层（100c）形成在第一外延层（100b）的暴露部分上。晶体管单元（TC）的半导体部分形成在第二外延层（100c）中，或者微机电结构（MS）的部分由第二外延层（100c）形成。

Method of manufacturing semiconductor device having transistor unit, and semiconductor device

A method of manufacturing a semiconductor device having a transistor cell, and a semiconductor device are disclosed. The first reinforcing bar (361) is formed on the processing surface (101A) of the base substrate (100a). A first epitaxial layer (100b) that covers the first reinforcing bar (361) is formed on the first processing surface (101A). A second reinforcing bar (362) is formed on the first epitaxial layer (100b). A second epitaxial layer (100C) that covers the second reinforcing bar (362) is formed on the exposed portion of the first epitaxial layer (100b). The semiconductor portion of the transistor unit (TC) is formed in the second epitaxial layer (100C), or the portion of the microelectromechanical structure (MS) is formed by a second epitaxial layer (100C).

【技术实现步骤摘要】
制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件
技术介绍
随着诸如功率半导体开关器件的半导体器件的尺寸缩小，不得不在处理环境中处置相对薄的半导体晶片。随着半导体晶片的厚度减小，包括氧化层且从正面延伸到半导体晶片中的沟槽结构以及晶片表面上的厚金属层使晶片弯曲并翘曲到相当大的程度。晶片翘曲和晶片卷边（bowing）增加了处理复杂度（例如，对于从半导体晶片获得分离的半导体管芯的晶片切分处理而言）。在制备期间，在正面处的辅助载体和/或应力释放特征可以减少晶片翘曲和晶片卷边。想要的是提供减少晶片卷边和/或简化晶片切分的用于制造半导体器件的经济的方法。
技术实现思路
所述目的是利用独立权利要求的主题实现的。从属权利要求涉及进一步的实施例。根据实施例，一种半导体器件包括：晶体管单元，其包括与半导体部分中的漂移结构形成第一pn结的体区域。半导体部分中的第一加强条的第一纵向轴与半导体部分的第一表面平行。第一加强条与第一表面之间的第二加强条的第二纵向轴与第一表面平行。根据另一实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在基底衬底（basesubstrate）的处理表面上形成第一加强条。在处理表面上形成第一外延层，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：晶体管单元（TC），其包括与半导体部分（100）中的漂移结构（130）形成第一pn结（pn1）的体区域（120）；所述半导体部分（100）中的第一加强条（361），其中，所述第一加强条（361）的第一纵向轴（371）与所述半导体部分（100）的第一表面（101）平行；以及所述第一加强条（361）与所述第一表面（101）之间的第二加强条（362），其中，所述第二加强条（362）的第二纵向轴（372）与所述第一表面（101）平行。

【技术特征摘要】
2016.03.17 DE 102016104968.91.一种半导体器件，包括：晶体管单元（TC），其包括与半导体部分（100）中的漂移结构（130）形成第一pn结（pn1）的体区域（120）；所述半导体部分（100）中的第一加强条（361），其中，所述第一加强条（361）的第一纵向轴（371）与所述半导体部分（100）的第一表面（101）平行；以及所述第一加强条（361）与所述第一表面（101）之间的第二加强条（362），其中，所述第二加强条（362）的第二纵向轴（372）与所述第一表面（101）平行。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二纵向轴（372）相对于所述第一纵向轴（371）倾斜。3.根据权利要求1和2中任一项所述的半导体器件，其中，所述晶体管单元（TC）的所述体区域（120）与形成在所述第一表面（101）和所述体区域（120）之间的源极区域（110）形成第二pn结（pn2）。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二纵向轴（372）与所述第一纵向轴（371）正交。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中，所述漂移结构（130）的分离区段（130z）将所述第一加强条（361）与所述第二加强条（362）分离。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体部分（100）的中间区段（100z）将所述第一加强条（361）与所述半导体部分（100）的与所述第一表面（101）相对的第二表面（102）分离。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一加强条（361）和所述第二加强条（362）包括如下中的至少一个：氧化硅、氮化硅、碳化硅、类金刚石碳和对硅呈惰性的金属。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一加强条（361）和所述第二加强条（362）的宽度在从50µm至500µm的范围内。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一加强条（361）和所述第二加强条（362）延伸通过所述半导体部分（100）的中央部分（610）。10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中，所述第一加强条（361）和所述第二加强条（362）空出所述半导体部分（100）的中央部分（610）。11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体器件，其中，至少所述第一加强条（361）或所述第二加强条（362）具有均匀的中心到中心距离。12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上形成第一加强条（361）；在第一处理表面（101a）上形成第一外延层（100b），所述第一外延层（100b）覆盖所述第一加强条（361）；在所述第一外延层（100b）上形成第二加强条（362）；在所述第一外延层（100b）的暴露部分上形成第二外延层（100c），所述第二外延层（100c）覆盖所述第二加强条（362）；以及在所述第二外延层（100c）中形成晶体管单元（TC）的半导体部分或由所述第二外延层（100c）形成微机电结构（MS）的部分。13.根据权利要求12所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J鲍姆加特尔，O布兰克，O黑尔蒙的，RK约希，M佩尔茨尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE