用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区制造技术

本发明专利技术公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的基区掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的发射极掺杂类型与衬底相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极，而终端区发射极的位置保持N型掺杂。本发明专利技术还公开了另外两种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区。本发明专利技术将终端背面的集电区P型层用绝缘物质代替，避免了器件关断过程中元包发生闩锁并最终失效。

Anti latch terminal area for insulated gate bipolar transistors

The invention discloses a latch for preventing the insulated gate bipolar transistor to lock the terminal area, including: the front structure, comprising a substrate, a field limiting ring, covering the field limiting ring oxide layer or a passivation layer, insulated gate bipolar transistor base region, IGBT yuan package IGBT yuan package of the emitter and the emitter electrode. The substrate doping type and field limiting ring on the contrary, the base doping type and substrate IGBT yuan package instead, and the same substrate emission type electrode doped IGBT yuan package; on the back of the structure, using a layer mask to the active area of the back of P injection, the formation of P type emitter, and terminal area emitter position holding N type doping. Two other anti latch terminal regions for insulated gate bipolar transistors are also disclosed. The invention replaces the collector P type layer on the back of the terminal with an insulating material, thus avoiding latch up in the middle of the device during the shutdown process and finally failure.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率器件的终端结构，特别涉及用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，更进一步本专利技术更适用于逆导型绝缘栅双极晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是新型的大功率器件，集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。近年来不断发展的逆导IGBT（RC-IGBT，ReverseConductingIGBT）以其可以降低损耗、提高系统效率，减小大功率系统中器件并联的数目，减小热沉大小等优点逐渐占有一定市场，并不断发展壮大，其集电极不是连续的P+区，而是部分地引入一些N+短路区。IGBT终端区是围绕器件有源区外围的保护结构，主要形成于功率器件正表面，是保证耐压的区域。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，其特征在于，包括：在正面结构中，包括衬底（501）、场限环（505）、覆盖场限环（505）的氧化层或者钝化层（506）、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区（503）、IGBT元包的发射极（504）及发射极金属电极（508），所述场限环（505）的掺杂类型与衬底（501）相反，IGBT元包的基区（503）掺杂类型与衬底（501）相反，IGBT元包的发射极（504）掺杂类型与衬底（501）相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极（502A），而终端区发射极的位置保持N型掺杂（502B）。

【技术特征摘要】
2012.11.23 CN 201210483703.51.一种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，其特征在于，包括：
在正面结构中，包括衬底（501）、场限环（505）、覆盖场限环（505）的氧
化层或者钝化层（506）、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区（503）、IGBT元
包的发射极（504）及发射极金属电极（508），所述场限环（505）的掺杂类型
与衬底（501）相反，IGBT元包的基区（503）掺杂类型与衬底（501）相反，
IGBT元包的发射极（504）掺杂类型与衬底（501）相同；
在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型
发射极（502A），而终端区发射极的位置保持N型掺杂（502B）。
2.根据权利要求1所述的用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，其特征
在于，在所述采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入前，进一步包括：
在背面进行N型注入。
3.一种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，其特征在于，包括：
在正面结构中，包括衬底（601）、场限环（605）、覆盖场限环（605）的氧
化层或者钝化层（606）、IGBT元包的基区（603）、IGBT元包的发射极（604）
及发射极金属电极（608），所述场限环（605）的掺杂类型与衬底（601）相反，
IGBT元包的基区（603）掺杂类型与衬底（601）相反，IGBT元包的发射极（60...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚为利，朱阳军，田晓丽，张文亮，陆江，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11