半导体装置制造方法及图纸

根据一个实施方式，第3电极设于第1半导体区域与第2电极之间。第4电极设于第1半导体区域与第2电极之间。第2半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间、以及第3电极与第4电极之间。第3半导体区域设于第2半导体区域与第2电极之间。第4半导体区域设于第1半导体区域与第2电极之间，与第2电极电连接，且隔着第4电极与第2半导体区域并列。第1绝缘膜设于第3电极与第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、以及第2电极之间。第2绝缘膜设于第4电极与第1半导体区域、第2半导体区域、以及第4半导体区域之间。第5半导体区域设于第1电极与第1半导体区域之间。

Semiconductor device

According to one embodiment, the third electrode is disposed between the first semiconductor region and the second electrode. The fourth electrode is arranged between the first semiconductor region and the second electrode. The second semiconductor region is disposed between the first semiconductor region and the second electrode, and between the third electrode and the fourth electrode. The third semiconductor region is disposed between the second semiconductor region and the second electrode. The fourth semiconductor region is arranged between the first semiconductor region and the second electrode and is electrically connected with the second electrode and is juxtaposed with the second semiconductor region through the fourth electrode. The first insulating film is disposed between the third electrode and the first semiconductor region, the second semiconductor region, the third semiconductor region, and the second electrode. The second insulating film is disposed between the fourth electrode and the first semiconductor region, the second semiconductor region, and the fourth semiconductor region. The fifth semiconductor region is disposed between the first electrode and the first semiconductor region.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的引用本申请以2016年3月16日提出申请的在先的日本专利申请2016－052666号的权利的利益为基础，并且谋求其利益，通过引用在此包含其全部内容。
这里说明的实施方式总的来说涉及半导体装置。
技术介绍
电力用的半导体装置之一包括沟槽栅构造的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)。在IGBT被用作开关元件的情况下，期望其导通电阻较低，并且开关较快。在IGBT中，若缩短沟槽栅的间距，则沟槽栅间的半导体区域的电阻成分变大，促进了所谓的IE效果(IE：InjectionEnhanced，注入增强)。由此，其导通电压变小。该IE效果也因在沟槽栅间设置对于载流子的阻挡区域而得到促进。但是，若通过这种方法促进IE效果，则发射极侧的载流子浓度增大。由此，在关断时，存在载流子未向发射极侧迅速排出、关断时的开关损失增大的可能性。这样，导通电压的减少和关断时的开关损失的减少成为权衡的关系。
技术实现思路
实施方式提供一种实现了导通电压的减少和关断时的开关损失的减少的半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第1电极、第2电极、第1导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设于上述第1电极与上述第2电极之间；第3电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第4电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，并在与第1方向交叉的第2方向上与上述第3电极并列，该第1方向是从上述第1电极朝向上述第2电极的方向；第2导电型的第2半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间、以及上述第3电极与上述第4电极之间，并与上述第2电极电连接；第1导电型的第3半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第2电极之间，并与上述第2电极电连接；第2导电型的第4半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之...

【技术特征摘要】
2016.03.16 JP 2016-0526661.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设于上述第1电极与上述第2电极之间；第3电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第4电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，并在与第1方向交叉的第2方向上与上述第3电极并列，该第1方向是从上述第1电极朝向上述第2电极的方向；第2导电型的第2半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间、以及上述第3电极与上述第4电极之间，并与上述第2电极电连接；第1导电型的第3半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第2电极之间，并与上述第2电极电连接；第2导电型的第4半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，并在上述第2方向上隔着上述第4电极而与上述第2半导体区域并列，包含第1区域和第2区域，上述第2区域的杂质浓度比上述第1区域的杂质浓度高，上述第2区域在上述第1方向上设于上述第1区域与上述第2电极之间，上述第1区域以及上述第2区域电连接于上述第2电极；第1绝缘膜，设于上述第3电极与上述第1半导体区域、上述第2半导体区域、上述第3半导体区域、以及上述第2电极之间；第2绝缘膜，设于上述第4电极与上述第1半导体区域、上述第2半导体区域、以及上述第4半导体区域之间；以及第2导电型的第5半导体区域，设于上述第1电极与上述第1半导体区域之间，并与上述第1电极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，上述第4半导体区域与上述第1半导体区域的界面和上述第1电极之间的距离，比上述第2半导体区域与上述第1半导体区域的界面和上述第1电极之间的距离短。3.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设于上述第1电极与上述第2电极之间；第3电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间；第4电极，设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，并在与第1方向交叉的第2方向上与上述第3电极并列，该第1方向是从上述第1电极朝向上述第2电极的方向；第2导电型的第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：小仓常雄，末代知子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP