一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法技术
Buffer layer structure of IGBT and manufacturing method thereof
The invention discloses a buffer layer structure and manufacturing method of IGBT, which belongs to the field of power semiconductor technology, the buffer layer comprises at least two layer N type doping layer, a buffer layer in the drift region and the collector region between P+ and the manufacturing method of the buffer layer is on the back of the N- substrate by proton irradiation to form first the doped layer, the doping concentration of the first doped layer was 5e14/cm3 - 5e16/cm3; through the mask into the mask region and a transmission region in the first doped layer; second doped layer is formed on the transparent area by proton irradiation or ion implantation method, doping concentration of second doped layer was 1e15/cm3 - 5e17/cm3. The invention can obtain better buffer layer doping concentration distribution, and can improve the switching speed and suppress the fluctuation of the turn-on voltage drop.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率半导体
，特别涉及一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管IGBT是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点。在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。参见图1，现有技术提出了一种穿通型IGBT的结构，IGBT的参数优化存在很多的折中关系，比如漂移区厚度增大，有利于器件耐压的提高，但是同时增大了导通压降和关断时间，比如增大背面P型集电极的掺杂浓度，会提高空穴注入效率，增强电导调制效应，从而有利于降低器件的导通压降，但是由于漂移区存储了更多的少子电荷，器件的关断时间会延长。穿通型IGBT在漂移区和P+集电极层之间添加了N+缓冲层，很大程度上优化了参数折中关系。一方面，N+缓冲...
【技术保护点】
一种IGBT的缓冲层结构，其特征在于，所述缓冲层包括至少两层N型掺杂层，所述缓冲层在漂移区和P+集电区之间。
【技术特征摘要】
2012.11.23 CN 201210484766.21.一种IGBT的缓冲层结构，其特征在于，所述缓冲层包括至少两层
N型掺杂层，所述缓冲层在漂移区和P+集电区之间。
2.根据权利要求1所述的缓冲层结构，其特征在于，所述N型掺杂层
为两层。
3.一种IGBT的缓冲层结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在N-型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，所述第一掺杂层的
掺杂浓度为5e14/cm3–5e16/cm3；
在所述第一掺杂层通过掩膜板划分出掩膜区域和透光区域；
通过质子...
【专利技术属性】
技术研发人员：喻巧群，朱阳军，卢烁今，吴振兴，田晓丽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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