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公开了制造具有晶体管单元的半导体器件的方法以及半导体器件。第一加强条（361）形成在基底衬底（100a）的处理表面（101a）上。覆盖第一加强条（361）的第一外延层（100b）形成在第一处理表面（101a）上。第二加强条（362）形成在第...
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