一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开了一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件。本发明专利技术中，在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；在裸芯片的预设位置覆盖薄膜保护层，并固化薄膜保护层；在待电镀铜柱位置电镀铜柱。通过这种方式，相当于在现有技术中的裸芯片上增加了额外的保护层，以有效的缓解铜柱周边切向应力对铜柱所造成的潜在伤害，从而加强了对倒装焊芯片铜柱的保护，提高了芯片的封装良率及可靠性。

Method for making flip chip and bare chip assembly

The invention relates to the field of semiconductor, and discloses a method for manufacturing flip chip and a bare chip assembly. In the invention, metal layer is etched in a preset position bare chip has completed metal sputtering process; wherein, the preset position for the bare chip to be outside of the copper pillar position; in the preset position covering film protective layer of the bare chip, and cured film protective layer; when the copper pillar position of electroplating copper. In this way, the equivalent of a bare chip in the existing technology on adds an additional layer of protection to effectively alleviate the pillars surrounding the tangential stress on the potential damage caused by copper, thus strengthening the protection of flip chip pillars, improve the yield and reliability of the chip package.

【技术实现步骤摘要】
一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及芯片的封装技术。
技术介绍
倒装芯片Flipchip封装工艺是当今半导体封装领域的一大热点，该种封装工艺与传统的引线键合法的封装工艺相比，Flipchip封装工艺将裸芯片的有源区面对基板，通过裸芯片上呈阵列排列的焊料凸点(锡球以及铜柱)实现裸芯片与基板互连，裸芯片直接以倒扣方式安装到基板上，大大缩短了互连长度，同时具有RC延迟小，散热性能好，IO密度高，封装面积小，厚度薄等优点，十分适合于当前IC产品高速、高性能，高IO密度，轻薄小型化的发展方向。然而，在当前较为主流的Flipchip封装工艺中，铜柱的直径已经小于30μm，铜柱之间的间距小于50μm，在封装小型化的同时，铜柱直径的减小导致铜柱强度也随之降低。如图1所示，为现有技术中倒装焊芯片的工艺流程示意图，步骤a至步骤l依次为：引入晶圆—覆盖PI(聚酰亚胺，Polyimide)层—对PI层进行曝光—对PI层进行显影并烘烤—溅射金属化层—覆盖光刻胶—对光刻胶进行曝光—对光刻胶进行显影—电镀铜柱—剥离光刻胶—金属化层蚀刻—回流沉积焊球；如图2所示，为现有技术中的裸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，所述预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层；在所述待电镀铜柱位置电镀铜柱。

【技术特征摘要】
1.一种倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，所述预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层；在所述待电镀铜柱位置电镀铜柱。2.根据权利要求1所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻的步骤中，包含以下子步骤：在已完成金属溅射工艺的所述裸芯片的第一表面覆盖光刻胶；经曝光，显影去除所述预设位置上的光刻胶；对所述裸芯片进行金属化层蚀刻。3.根据权利要求2所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层的步骤中，包含以下子步骤：去除所述待电镀铜柱位置的所述光刻胶；在所述裸芯片的第一表面覆盖薄膜保护层；经曝光，显影去除所述待电镀铜柱位置的薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层。4.根据权利要求3所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在去除所述待电镀铜柱位置的薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层的步骤后，还包含以下步骤：在所述裸芯片的第一表面覆盖光刻胶；对所述裸芯片进行光线曝光，并将待电镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：周涛，王沛，王强，
申请(专利权)人：联芯科技有限公司，大唐半导体设计有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31