膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术提供适合作为对树脂密封部的脱模性优良以及对半导体芯片、源电极或密封玻璃的低迁移性及再剥离性优良的用于制造半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分露出的半导体元件的脱模膜的膜。适合作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1，其中，具备基材3和粘接层5，基材3在180℃时的储能模量为10～100MPa，粘接层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物且来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH、羧基的摩尔数MCOOH、来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定的关系的粘接层用组合物的反应固化物。

Film, method for manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device using the same

The present invention provides for release of resin sealing parts and excellent in low mobility semiconductor chip, a source electrode or sealing glass and releasable excellent for release film surface manufacturing a semiconductor chip, a source electrode or sealing glass part exposed semiconductor film. Suitable as a release film for manufacturing semiconductor element of the film 1, which has a substrate 3 and the adhesive layer 5, the substrate 3 at 180 DEG C of the storage modulus is 10 ~ 100MPa, the adhesive layer 5 is the number of moles of MNCO containing acrylic polymer and a specific polyfunctional isocyanate compound and from the acrylic the number of moles of hydroxyl polymer MOH, carboxyl molar MCOOH, derived from the polyfunctional isocyanate compound of isocyanate adhesive layer meet the specific relationship with the composition of the curing reaction.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适合作为半导体元件制造用的脱模膜的膜、其制造方法以及使用了该膜的半导体元件的制造方法。
技术介绍
为了隔绝外部气体并进行保护，半导体芯片通常由称作封装体的容器容纳(密封)，作为半导体元件安装在基板上。封装体中使用了环氧树脂等热固化性树脂等固化性树脂。作为半导体元件的制造方法，例如已知有配置半导体芯片等以使该半导体芯片位于模具内的规定部位，在模具内填充固化性树脂并使之固化的方法，即所谓的传递成形法(日文：トランスファ成形法)或压缩成形法。近年来，出于提高散热性和薄型化的目的，在半导体元件中例如使半导体芯片以及与半导体芯片接合的源电极等露出(例如专利文件1)。作为这种半导体元件，可代表性地例举传感器。另外，近年来，作为CCD(电荷耦合器件，ChargeCoupledDevice)成像传感器、CMOS(互补金属氧化物半导体，ComplementaryMetalOxideSemiconductor)成像传感器等，使用了在搭载有半导体芯片的基板上隔着肋材(间隔物)层叠密封玻璃而得的中空结构的半导体元件。所述半导体元件的制造中，在肋材上方层叠了密封玻璃后，进一步用固化性树脂将肋材本文档来自技高网...

【技术保护点】
膜，它是具有基材以及设置在所述基材的一面上的粘接层的膜，其特征在于，所述基材的180℃时的储能模量为10～100MPa，所述粘接层是含有具有羟基的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物的粘接层用组合物的反应固化物，所述丙烯酸类聚合物的羟基与羧基的总当量在2000g/摩尔以下，所述粘接层用组合物中的MCOOH/(MNCO‑MOH)为0～1.0，MNCO/(MCOOH+MOH)为0.4～3.5，其中，MOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH，MCOOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羧基的摩尔数，MNCO是来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.06 JP 2015-0226911.膜，它是具有基材以及设置在所述基材的一面上的粘接层的膜，其特征在于，所述基材的180℃时的储能模量为10～100MPa，所述粘接层是含有具有羟基的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物的粘接层用组合物的反应固化物，所述丙烯酸类聚合物的羟基与羧基的总当量在2000g/摩尔以下，所述粘接层用组合物中的MCOOH/(MNCO-MOH)为0～1.0，MNCO/(MCOOH+MOH)为0.4～3.5，其中，MOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH，MCOOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羧基的摩尔数，MNCO是来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数。2.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物的质均分子量为10万～120万。3.如权利要求1或2所述的膜，其特征在于，所述多官能异氰酸酯化合物具有异氰脲酸酯环。4.如权利要求1～3中任一项所述的膜，其特征在于，所述粘接层的180℃时的储能模量为2～20MPa。5.如权利要求1～4中任一项所述的膜，其特征在于，由所述粘接层的基重W1(g/m2)和该膜经过以下溶解试验后残存的粘接层的基重W2(g/m2)通过下式求出的所述粘接层的不溶度为40～90％，不溶度(％)＝(W2/W1)×100溶解试验将膜浸渍于20～25℃的二氯甲烷中，搅拌1天；将1天的搅拌结束后的膜在另外的20～25℃的二氯甲烷中浸渍10分钟以洗净；对洗净后的膜以100℃真空干燥2小时。6.如权利要求1～5中任一项所述的膜，其特征在于，所述基材含有乙烯-四氟乙烯共聚物。7.如权利要求1～6中任一项所述的膜，其特征在于，所述基材的厚度为50～100μm，所述粘接层的厚度为0.5～15μm。8.如权利要求1～7中任一项所述的膜，其特征在于，所述粘接层用组合物还含有防静电剂。9.如权利要求1～7中任一项所述的膜，其特征在于，所述基材与所述粘接层之间具有防静电层。10.如权利要求1～9中任一项所述的膜，其特征在于，所述膜是在制造被密封树脂密封的半导体元件的密封工序中使用的脱模膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：小寺省吾，笠井涉，铃木政己，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP