电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法技术

本公开涉及一种电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法。所述电子元件封装件，包括：基板；元件，设置在所述基板上；盖部，封闭所述元件。基板和盖部中的一者包括槽部，基板和盖部中的另一者包括与所述槽部相啮合的突起。第一金属层和第二金属层在槽部和突起之间的空间中彼此形成金属结合。

Electronic component package and method for manufacturing the same

The present disclosure relates to an electronic component package and a method of manufacturing the electronic component package. The electronic component package includes: a substrate; an element disposed on the substrate; a cover portion that closes the element. One of the substrate and cover includes a groove portion, and the other in the substrate and cover includes projections engaging with the groove portion. The first metal layer and the second metal layer form a metal bond with each other in the space between the slot and the protrusion.

【技术实现步骤摘要】
电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法本申请要求于2016年3月17日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0032183号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种电子元件封装件及制造该电子元件封装件的方法。
技术介绍
近年来，随着移动通信装置的迅速发展，对于微型滤波器、振荡器和其他组件的需求也随之增加。例如，体声波(BAW)谐振器已经被经常用于实施微型滤波器、振荡器和其他组件。使用BAW谐振器具有诸如能够实现低成本批量生产和能够小型化的优点。进一步地，BAW谐振器可获得高的品质因子并可用于微频段。一般地，因为BAW谐振器的谐振器(振荡器)的性能在500℃或更高的结合温度会劣化，所以BAW谐振器需要在500℃或更小的温度进行气密封。因而，可以应用热扩散结合、共熔结合或硅直接结合。进一步地，BAW谐振器在盖部结合工艺中经常使用热扩散结合。热扩散结合定义为一种在晶圆的两个表面上涂抹待结合的材料(例如，结合金属)并利用热和强作用力按压晶圆以将晶圆结合的方法。强作用力首先用于将晶圆按压在一起以得到具有纳米尺寸或更小的间隙，以使涂抹的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件封装件，包括：基板；元件，设置在所述基板上；盖部，封闭所述元件；其中，所述基板和盖部中的一者包括槽部，所述基板和盖部中的另一者包括与所述槽部相啮合的突起，并且第一金属层和第二金属层在槽部和突起之间的空间中彼此形成金属结合。

【技术特征摘要】
2016.03.17 KR 10-2016-00321831.一种电子元件封装件，包括：基板；元件，设置在所述基板上；盖部，封闭所述元件；其中，所述基板和盖部中的一者包括槽部，所述基板和盖部中的另一者包括与所述槽部相啮合的突起，并且第一金属层和第二金属层在槽部和突起之间的空间中彼此形成金属结合。2.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述槽部包括倾斜壁表面，并且所述金属结合是覆盖突起的边缘的第一金属层的一部分和覆盖槽部的倾斜壁表面的第二金属层的一部分之间的结合。3.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述金属结合包括金属热扩散层。4.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述第一金属层和第二金属层包括相同类型的材料。5.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述基板和盖部包括设置在所述基板和盖部之间的空间中的树脂层，以形成树脂结合。6.根据权利要求5所述的电子元件封装件，其中，所述树脂层包括环氧树脂。7.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述电子元件封装件为体声波谐振器。8.一种制造电子元件封装件的方法，所述方法包括：在基板的表面上形成元件；将封闭所述元件的盖部结合到基板；其中，基板和盖部中的一者包括槽部，基板和盖部中的另一者包括与所述槽部相啮合的突起，并且将盖部结合到基板的步骤包括使形成在槽部和突起之间的空间中的第一金属层和第二金属层金属结合。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述槽部包括倾斜壁表面，并且使第一金属层和第二金属层金属结合的步骤包括将覆盖突起的边缘的第一金属层的一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜珌中，金光洙，南智惠，李桢日，宋锺亨，康崙盛，辛承柱，李男贞，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR