半导体装置及形成半导体装置的方法制造方法及图纸
Semiconductor device and method of forming semiconductor device
The invention relates to a semiconductor device and a method of forming a semiconductor device. According to one embodiment, a semiconductor device includes a substrate, mounted on the substrate of the semiconductor chip, sealing the semiconductor chip and a sealing resin layer covering the sealing resin layer on at least one surface of the film, made the film composed of selected zinc, aluminum and manganese and its alloy, metal oxide metal nitride and metal nitrogen oxide material group.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及形成半导体装置的方法相关申请案的交叉参考本申请案是基于并主张来自2016年3月17日申请的第2016-53319号日本专利申请案的优先权的权益，所述日本专利申请案的全部内容以引用方式并入本文中。
本文所描述的实施例大体上涉及一种半导体装置及一种形成半导体装置的方法。
技术介绍
在具有内建存储器芯片的半导体存储器装置(例如，NAND类型快闪存储器)中，微型化及高容量已快速发展。在半导体存储器装置中，为了实现微型化与高容量两者，多个存储器芯片被循序堆叠于布线衬底上，且这些半导体芯片由树脂层密封。为了减小此半导体装置的厚度，将最小化半导体芯片上的密封树脂层的厚度。此微型化可能在热处理(例如，焊接回流过程)期间致使翘曲。树脂层通常翘曲，使得树脂层的上表面在室温下呈凸面且在高温下呈凹面。减小树脂层的厚度，尤其是在高温下，会增加翘曲。可通过调整密封树脂的性质、衬底材料的性质或衬底的厚度来抑制翘曲。然而，此类调整会增加材料成本或衬底成本。另外，在一些情况中，所需的仅仅通过调整衬底的材料性质或厚度的翘曲抑制在容差内是不可用的。因此，需要一种可抑制半导体装置的翘曲的具成...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：衬底；半导体芯片，其安装于所述衬底上；密封树脂层，其密封所述半导体芯片；及膜，其覆盖所述密封树脂层的至少一上表面，所述膜由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成的群组的材料制成。
【技术特征摘要】
2016.03.17 JP 2016-0533191.一种半导体装置，其包括：衬底；半导体芯片，其安装于所述衬底上；密封树脂层，其密封所述半导体芯片；及膜，其覆盖所述密封树脂层的至少一上表面，所述膜由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物组成的群组的材料制成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述膜具有超过30GPa的杨氏模量及超过16.2×10-6℃的热膨胀系数。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述膜具有等于或大于0.5μm且等于或小于5μm的厚度。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述半导体芯片上的所述密封树脂层的厚度等于或小于300μm。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述膜仅覆盖所述密封树脂层的所述上表面，且所述装置进一步包括覆盖所述膜的前表面、所述密封树脂层的侧表面及所述衬底的侧表面的导电屏蔽层及保护层中的至少一者。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述膜由金属化合物制成。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其进一步包括导电屏蔽层及保护层中的至少一者。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述导电屏蔽层覆盖所述膜的前表面、所述密封树脂层的侧表面及所述衬底的侧表面。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述保护层是防腐的。10.一种半导体装置，其包括：衬底；半导体芯片，其安装于所述衬底上；密封树脂层，其密封所述半导体芯片；及膜，其覆盖所述密封树脂层的至少一上表面，所述膜具有等于或大于0.5μm且等于或小于5μm的厚度，其中所述膜由选自...
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