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本发明涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。根据一个实施例，半导体装置包含衬底、安装于所述衬底上的半导体芯片、密封所述半导体芯片的密封树脂层及覆盖所述密封树脂层的至少一上表面的膜，所述膜由选自由锌、铝、锰、其合金、金属氧化物、金属氮化物及金...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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