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本发明涉及半导体领域，公开了一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件。本发明中，在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；在裸芯片的预设位置覆盖薄膜保护层，并固化薄膜保护层；在待电...
该专利属于联芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司授权不得商用。

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