The invention discloses a super node Schottky diode with multiple cellular structure, each cell structure comprises a N type substrate with N epitaxial epitaxial N, upper part has two P epitaxial, with Schottky N epitaxial contact region between the two P type extension on the Schottky is the contact area of the metal layer; wherein, the P is connected by a plurality of epitaxial P epitaxial region, the doped P epitaxial region more than the same type, the same doping parameters. The super junction Schottky diode of the invention can withstand high reverse bias voltage, and when PN junction is longer than 40um, it can work normally at high voltage or more than 600V.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种超级结肖特基二极管。
技术介绍
目前，高压二极管器件是由PN结扩散形成的或者是肖特基金属半导体接触构成的，在完成耐高电压的同时也要产生高的正向导通电阻。其中，肖特基二极管虽然能提供比较小的导通电阻，但其耐高压能力有限，不能提供较高的反向偏压。一般应用中高电压二极管一般采用PN结型二极管，其缺点是反偏电压越大，所需要的耐击穿耗尽层宽度就要越宽，耗尽层宽度越宽会导致器件正向开启时的电阻越大，影响器件的整体性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能耐受高反偏电压的超级结肖特基二极管，其能实现在600V以上高压环境下正常工作。为解决上述技术问题，本专利技术的超级结肖特基二极管，具有多个元胞结构，每个元胞结构包括：N型衬底上生长有N型外延，N型外延上部具有两个P型外延，所述两个P型外延之间的N型外延上具有肖特基接触区，所述肖特基接触区上是金属层；其中，所述P型外延由多个相邻P型外延区组成，所述多个P型外延区...
【技术保护点】
一种超级结肖特基二极管，具有多个元胞结构，每个元胞结构包括：N型衬底上生长有N型外延，N型外延上部具有两个P型外延，所述两个P型外延之间的N型外延上具有肖特基接触区，所述肖特基接触区上是金属层；其特征是:所述P型外延由多个相接P型外延区组成，所述多个P型外延区掺杂类型相同，掺杂参数相同。
【技术特征摘要】
1.一种超级结肖特基二极管，具有多个元胞结构，每个元胞结构包括：N型衬底上
生长有N型外延，N型外延上部具有两个P型外延，所述两个P型外延之间的N型外延
上具有肖特基接触区，所述肖特基接触区上是金属层；其特征是:所述P型外延由多个
相接P型外延区组成，所述多个P型外延区掺杂类型相同，掺杂参数相同。
2.如权利要求1所述超级结肖特基二极管，其特征是：所述P型外延区是圆形或椭
圆形结构。
3.如权利要求1的超级结肖特基二极管，其特征是：所述P型外延是沟槽形结构，
其深度大于8um。
4.一种超级结肖特基二极管的制造方法，其特征是，包括：
（1）在N型衬底上生长N型外延；
（2）在N型外延上刻蚀沟槽；
（4）采用相同掺杂类型，相同掺杂参数经多次填充生成P型外延；
（5）生长非导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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