一种半导体器件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及制造方法，用以解决现有沟槽栅肖特基二极管可靠性低的问题。所述半导体器件包括具有P型埋层的N型漂移区和沟槽结构；所述沟槽结构设置在所述N型漂移区的端部；所述P型埋层位于任意相邻两个沟槽之间。

A semiconductor device and a method of manufacturing the same

The invention discloses a semiconductor device and a manufacturing method thereof to solve the problem of low reliability of an existing trench gate Schottky diode. The semiconductor device includes a N type drift zone and a trench structure having a P type buried layer; the trench structure is disposed at the end of the N type drift region; the P buried layer is located between any two adjacent trenches.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及制造方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体器件及制造方法。
技术介绍
肖特基二极管作为功率整流装置广泛应用于开关电源和其他要求高速功率开关设备中。相比PN结型二极管，肖特基二极管具有较低的导通压降，并且由于其是单极载流子器件，具有较快的开关频率，因此肖特基二极管在低电压、高频应用范围具有很大的优势。由于肖特基二极管自身的势垒降低效应，肖特基在高压时会产生较大的漏电流，这是限制肖特基二极管在高压领域应用的主要原因。近年来随着TMBS(沟槽栅肖特基二极管)的成功市场化，肖特基电压应用范围已经可以达到300V，相比平面栅肖特基二极管，沟槽栅结构有效的抑制了肖特基的表面势垒降低效应，降低了器件漏电流。但同时由于沟槽结构的引入，当器件承担反向耐压时，器件峰值电场由硅表面转移到沟槽底部拐角位置，沟槽拐角处在强电场下碰撞电离产生的热载流子一部分会进入氧化层，在栅氧化层中产生界面陷阱和体陷阱，从而造成器件的特性退化。如何获得高可靠性能的沟槽栅肖特基二极管，而对器件其他特性影响较小，这是近年来半导体器件
一直迫切解决的问题。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括具有P型埋层的N型漂移区和沟槽结构；所述沟槽结构设置在所述N型漂移区的端部；所述P型埋层位于任意相邻两个沟槽之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括具有P型埋层的N型漂移区和沟槽结构；所述沟槽结构设置在所述N型漂移区的端部；所述P型埋层位于任意相邻两个沟槽之间。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括栅氧化层；所述沟槽结构与所述N型漂移区之间由所述栅氧化层隔离。3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述器件还包括金属电极；所述金属电极设置在所述沟槽结构和所述所述N型漂移区的端部；所述金属电极6与所述N型漂移区形成肖特基接触。4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型埋层的掺入杂质为硼。5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述P型埋层中硼注入剂量由所述N型漂移区的电阻率确定。6.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述P型埋层中硼注入剂量在1E12-1E15cm-2之间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：单亚东，谢刚，张伟，李一枝，
申请(专利权)人：广微集成技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44