【技术实现步骤摘要】
一种VDMOS器件
[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种VDMOS器件。
技术介绍
[0002]屏蔽栅场效应晶体管是在传统的沟槽VDMOS的基础上发展而来的，具有上下两层多晶结构，上层多晶是门极控制栅结构，与传统沟槽结构类似，下层多晶通过走线与源极相联，起到屏蔽门极作用。它和传统的沟槽VDMOS相比，在同等耐压下拥有更小的导通电阻，以及更低的米勒电容，具有更快的开关速度。由于实际应用环境的复杂，对功率VDMOS的可靠性要求比较高，功率器件产品在其生产、制造、装配以及工作过程中极易受到ESD的影响，造成产品内部损伤、可靠性降低，功率VDMOS的ESD薄弱点是栅源端的薄层栅氧化层击穿，屏蔽栅VDMOS因具有双栅结构，其失效点还有上下两层多晶结构间的氧化层击穿。两层多晶结构的隔离主要两种形成方法，一种是通过淀积二氧化硅形成隔离，另外一种是通过多晶硅热氧化形成介质隔离。第一种通过淀积形成的二氧化硅，在刻蚀时不容易控制厚度，并且刻蚀容易造成氧化层损伤，降低栅源两端的击穿电压；第二种多晶硅热氧化形成的氧化层，氧化层的质量较...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件，其特征在于，包括：衬底层，为N型重掺杂层；外延层，生长于所述衬底层的一侧，所述外延层为N型轻掺杂层；P
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body层，设置于所述外延层远离所述衬底层的一侧；欧姆接触层，设置于所述P
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body层远离所述外延层的一侧；源极电子层，与所述欧姆接触层并列，设置于所述P
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body层远离所述外延层的一侧；第一金属层，覆盖所述欧姆接触层与所述源极电子层，且与所述欧姆接触层、所述源极电子层均电连接；沟道，设置于所述第一金属层与所述外延层之间，所述沟道靠近所述源极电子层远离所述欧姆接触层的一侧；栅极多晶硅层，设置于所述沟道，与所述第一金属层、所述P
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body层、所述源极电子层均通过第一隔离层隔离；源极多晶硅层，设置于所述栅极多晶硅层远离所述第一金属层的一侧，与所述外延层通过第二隔离层隔离；所述栅极多晶硅层的头端与所述源极多晶硅层的头端平齐，所述源极多晶硅层的尾端通过第二金属层与所述第一金属层连接，所述第二金属层为肖特...
【专利技术属性】
技术研发人员：单亚东，谢刚，胡丹，
申请(专利权)人：广微集成技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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