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本发明公开了VDMOS器件，包括：衬底层；外延层，生长于衬底层的一侧；P
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该专利属于广微集成技术（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广微集成技术（深圳）有限公司授权不得商用。

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