半导体装置制造方法及图纸

在第1沟槽(17)延伸的第1方向(Y方向)上交替地且周期性地设置有第1源极区域(14)、和第1体区域(18)与第1源极电极(11)连接的第1连接部(18A)的第1纵型场效应晶体管(10)中，设第1方向上的第1源极区域(14)的长度为LS[μm]，设第1方向上的第1连接部(18A)的长度为LB[μm]，则LS相对于LB的比是1/7以上且1/3以下，对于以第1源极电极(11)的电位为基准向第1栅极导体(15)施加的半导体装置(1)的规格值的电压VGS[V]，LB≤－0.024

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置，特别涉及芯片尺寸封装型的半导体装置。

技术介绍

[0002]对于纵型场效应晶体管，要求降低导通电阻并且提高导通时的耐量以免在导通时发生热失控(正反馈)而导致损坏，提出了各种各样的纵型场效应晶体管(参照专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第3999225号公报
[0006]专利文献2：美国专利第10651276号说明书

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]对于纵型场效应晶体管，要求降低导通电阻并且提高对因导通时的热失控造成的损坏的耐量。专利文献1中公开的正交型的纵型场效应晶体管的构造与平行型的构造相比，对于导通电阻的降低是有效的，并且对于提高导通时的耐量是有利的。但是，通常难以达成同时满足导通电阻的降低和导通时的耐量的提高。
[0009]以N沟道型单重结构的纵型场效应晶体管为例进行说明。在以线性区域进行驱动的条件下，以源极电极的电位为基准，对漏极电极施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有：半导体衬底，由硅构成，包含第1导电型的杂质；低浓度杂质层，在上述半导体衬底上与其相接而形成，包含比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质的浓度低浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层的表面；上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域的表面；源极电极，与上述源极区域电连接；多个沟槽，在与上述半导体衬底的上表面平行的第1方向上延伸，并且在与上述第1方向正交的第2方向上等间隔地从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成到直至上述低浓度杂质层的一部分为止的深度；栅极绝缘膜，以将上述多个沟槽的表面的至少一部分覆盖的方式形成；栅极导体，形成在上述栅极绝缘膜上；以及连接部，将上述体区域与上述源极电极电连接；上述半导体衬底和上述低浓度杂质层的一部分作为上述纵型场效应晶体管的漏极区域发挥功能；在上述纵型场效应晶体管中，在上述第1方向上交替且周期性地设置有上述源极区域和上述连接部；设上述第1方向上的1个上述源极区域的长度为LS[μm]，设上述第1方向上的1个上述连接部的长度为LB[μm]，则LS相对于LB的比为1/7以上且1/3以下；对于以上述源极电极的电位为基准向上述栅极导体施加的上述半导体装置的规格值的电压VGS[V]，LB≤－0.024
×
(VGS)2+0.633
×
VGS－0.721成立。2.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有：半导体衬底，由硅构成，包含第1导电型的杂质；低浓度杂质层，在上述半导体衬底上与其相接而形成，包含比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质的浓度低浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层的表面；上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域的表面；源极电极，与上述源极区域电连接；多个沟槽，在与上述半导体衬底的上表面平行的第1方向上延伸，并且在与上述第1方向正交的第2方向上等间隔地从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成到直至上述低浓度杂质层的一部分为止的深度；栅极绝缘膜，以将上述多个沟槽的表面的至少一部分覆盖的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田朋成，田口晶英，中山佑介，中村浩尚，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：