【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件，尤其涉及一种屏蔽栅沟槽vdmos(verticaldouble-diffusedmetal-oxide-semiconductor，垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。
技术介绍
1、在现代电子领域中，随着能源需求的不断增长和电子设备的多样化应用，功率半导体器件的发展变得愈发关键。这些器件在能源转换、电动机驱动、电源管理等领域扮演着重要角色。然而，高电压、高功率应用对半导体器件提出了更严峻的要求，传统的设计和制造技术逐渐显示出其局限性。在这一背景下，屏蔽栅沟槽vdmos(vertical double-diffusedmetal-oxide-semiconductor)等新型功率器件设计不断涌现，旨在克服传统器件的限制，提供更高效率、更可靠的解决方案。
2、屏蔽栅沟槽vdmos是一种新型的功率mosfe(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor,金氧半场效晶体管)，相比传统的vdmos结构，分离栅vdmos在栅极设计上进行了改进，栅极上...
【技术保护点】
1.一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽VDMOS器件，其特征在于，所述半绝缘层为多晶硅层，采用LPCVD工艺，电阻率在1012-1017Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽VDMOS器件，其特征在于，所述半绝缘层厚度在0.1-0.5um之间。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽VDMOS器件，其特征在于，所述半绝缘层布置于所述沟槽的底部；或者布置于所述沟槽的底部以及两侧。
5.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽VDMOS器件，其特征在于，所述源极层包括：
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