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本技术提出了一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件，包括：衬底，中间层，半绝缘层，栅极层；中间层布置于衬底的上侧，包括漂移层以及源极层；漂移层布置于衬底，漂移层的上侧布设有源极层；其中，在中间层中形成有至少一个沟槽；半绝缘层设于沟槽内部，与漂移层接触...
该专利属于广微集成技术（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广微集成技术（深圳）有限公司授权不得商用。

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