半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术特别涉及一种对于功率器件有用的半导体装置。
技术介绍
氧化镓(Ga2O3)在室温下具有4.8-5.3eV这种宽带隙，是几乎不吸收可见光和紫外光的透明半导体。因此，氧化镓是一种有望用于在深紫外线区域动作的光·电子设备、透明电子器件的材料，近年来，对基于氧化镓(Ga2O3)的光检测器、发光二极管(LED)以及三极管进行了开发(参照非专利文献1)。另外，氧化镓(Ga2O3)存在α、β、γ、σ、ε5种结晶结构，通常最稳定的结构是β-Ga2O3。然而，由于β-Ga2O3为β-gallia结构，所以与通常用于电子材料等的结晶系不同，未必适用于半导体装置。另外，β-Ga2O3薄膜的生长需要高基板温度、高真空度，因此还存在制造成本增加的问题。另外，又如非专利文献2所记载，β-Ga2O3中即使有高浓度(例如1×1019/cm3以上)的掺杂物(Si)，如果在离子注入后不以800℃～1100℃的高温实施退火处理，则无法作为施主来使用。另一方面，α-Ga2O3具有与已经通用贩卖的蓝宝石基板相同的结晶结构，所以适用于光·电子设备，此外，由于具有比β-Ga2O3宽的带隙，所以对于功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及所述半导体层上的肖特基电极，所述肖特基电极含有选自元素周期表第4族～第9族中的至少1种金属。

【技术特征摘要】
2015.12.18 JP 2015-2480711.一种半导体装置，其特征在于，至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及所述半导体层上的肖特基电极，所述肖特基电极含有选自元素周期表第4族～第9族中的至少1种金属。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述肖特基电极含有选自元素周期表第4族～第6族中的至少1种金属。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，至少具备第1半导体层、第2半导体层、以及设置在第1半导体层上的肖特基电极，第1半导体层和第2半导体层分别含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分，第1半导体层的载流子密度小于第2半导体层的载流子密度，所述肖特基电极含有选自元素周期表第4族～第9族中的至少1种金属。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属是元素周期表第4周期的过渡金属。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体含有镓或铟。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：织田真也，德田梨绘，神原仁志，河原克明，人罗俊实，
申请(专利权)人：FLOSFIA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP