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本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金...
该专利属于FLOSFIA株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过FLOSFIA株式会社授权不得商用。

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