一种薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管的膜层结构中通过设置具有注入区和氧化区的浮栅结构，且有源层与浮栅之间具有很薄的注入层，可以使得有源层在漏极端通过注入区实现热电子注入到浮栅结构，从而实现薄膜晶体管的阈值电压正漂，以改善薄膜晶体管阈值电压负漂带来的问题；同时，沉积的注入层还能够减少有源层界缺陷，提高薄膜晶体管的开关特性；另外，还可以通过对控制栅加负栅压实现浮栅上存储的电荷清零，将薄膜晶体管初始化，从而保证每次写入数据的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LCD，LiquidCrystalDisplay)、有机电致发光显示面板(OrganicLightEmittingDiode，OLED)以及电子纸等显示装置已为人所熟知。在这些显示装置中具有控制各像素开关的薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)。TFT作为液晶和有机发光显示器中像素电路必不可少的元器件，发挥着巨大的作用，同时也吸引了业内众多专家学者不断改进TFT设计和制备方案，以求进一步提高显示画面的质量。目前，TFT应用于显示面板中尚存在一些亟待解决的问题，其主要包括：1、像素电容的电压保持能力较差，液晶依靠电压驱动，因而像素电容的电压保持能力对于得到良好的显示画面至关重要，但是由于TFT在长时间工作下或光照下会发生阈值电压负漂，造成漏电流增加和充电误差的问题，这些问题就会影响显示画面的质量；2、OLED显示面板的像素电路中作为驱动晶体管的TFT阈值电压负漂会造成显示画面模糊不清和静态功耗增大的问题。现有技术中解决TFT阈值电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板之上的控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极；其中，所述注入层位于所述浮栅与所述有源层之间；所述有源层位于所述控制栅与所述栅极之间；所述浮栅位于所述控制栅与所述有源层之间，且所述浮栅包括注入区和氧化区；其中，所述注入区与所述氧化区均包括一个端部和一个延伸部；所述注入区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述漏极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述源极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的延伸部位...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板之上的控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极；其中，所述注入层位于所述浮栅与所述有源层之间；所述有源层位于所述控制栅与所述栅极之间；所述浮栅位于所述控制栅与所述有源层之间，且所述浮栅包括注入区和氧化区；其中，所述注入区与所述氧化区均包括一个端部和一个延伸部；所述注入区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述漏极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述源极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的延伸部位于所述注入区的延伸部面向所述有源层的一面，且所述氧化区的延伸部的厚度大于所述注入区的延伸部的厚度。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述注入层的厚度不超过50纳米。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述控制栅位于所述衬底基板之上，所述浮栅位于所述控制栅之上，所述有源层位于所述浮栅之上，所述栅极位于所述有源层之上；或，所述栅极位于所述衬底基板之上，所述有源层位于所述栅极之上，所述浮栅位于所述有源层之上，所述控制栅位于所述浮栅之上。4.如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述控制栅与所述浮栅之间的缓冲层，以及位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层。5.一种如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板之上形成包括控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极的图形；其中，所述注入层位于所述浮栅与所述有源层之间，且所述注入层的厚度不超过50纳米；所述有源层位于所述控制栅与所述栅极之间；所述浮栅位于所述控制栅与所述有源层之间，且所述浮栅包括注入区和氧化区；其中，所述注入区与所述氧化区均包括一个端部和一个延伸部；所述注入区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述漏极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述源极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋振，王国英，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11