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本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管的膜层结构中通过设置具有注入区和氧化区的浮栅结构，且有源层与浮栅之间具有很薄的注入层，可以使得有源层在漏极端通过注入区实现热电子注入到浮栅结构，从而实现薄膜晶体管的阈值电压正漂，以改善薄膜...
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