肖特基势垒二极管及其制造方法技术

SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】肖特基势垒二极管及其制造方法
(关联申请的相互参照)本申请为2014年12月17日申请的日本专利申请特愿2014-255287的关联申请，并且本申请要求基于该日本专利申请的优先权，且将该日本专利申请所记载的全部内容作为构成本说明书的内容而援引。本说明书公开的技术涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法。
技术介绍
在日本专利公开2009-94433号公报(以下称为专利文献1)中公开了一种肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode：以下称为SBD)。该SBD具有半导体基板和与半导体基板接触的阳极电极。半导体基板具有与阳极电极接触的p型接触区和在未形成有p型接触区的范围内与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具有环状区域和形成在环状区域的内周部的多个带状区域。各个带状区域与环状区域连接。当向SBD施加正向电压时，电子会穿过阳极电极与n型漂移区之间的肖特基界面而从n型漂移区向阳极电极流动。因此，SBD导通。此外，当向SBD施加反向电压时，上述的电子的流动会停止，从而SBD断开。此外，在SBD断开时，耗尽层会从p型接触区向其周围的n型漂移区扩张。由于耗尽层是以覆盖肖特基界面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基势垒二极管，其具备半导体基板和与所述半导体基板的表面接触的阳极电极，其中，所述半导体基板具备：p型接触区，其与所述阳极电极接触；n型漂移区，其与所述阳极电极肖特基接触，所述p型接触区具备：第一p型区域，其在所述阳极电极与所述半导体基板的接触面处形成闭环，且具有以曲线状延伸的角部；第二p型区域，其在所述接触面处被配置于所述第一p型区域的内周部，且与所述角部连接；边缘填充部，其在所述第一p型区域与所述第二p型区域的连接部处与所述第一p型区域和所述第二p型区域相接，在将所述第一p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二p型区...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.17 JP 2014-2552871.一种肖特基势垒二极管，其具备半导体基板和与所述半导体基板的表面接触的阳极电极，其中，所述半导体基板具备：p型接触区，其与所述阳极电极接触；n型漂移区，其与所述阳极电极肖特基接触，所述p型接触区具备：第一p型区域，其在所述阳极电极与所述半导体基板的接触面处形成闭环，且具有以曲线状延伸的角部；第二p型区域，其在所述接触面处被配置于所述第一p型区域的内周部，且与所述角部连接；边缘填充部，其在所述第一p型区域与所述第二p型区域的连接部处与所述第一p型区域和所述第二p型区域相接，在将所述第一p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将所述第二p型区域的在未与所述边缘填充部相接的范围内延伸的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，所述第一延长线与所述第二延长线以锐角交叉，所述边缘填充部填充被形成在所述第一延长线与所述第二延长线之间的锐角边缘。2.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，所述第二p型区域在所述接触面处以带状延伸，所述锐角为θ，所述接触面内的所述角部的宽度为W1，所述接触面内的所述第二p型区域的宽度为W2，所述接触面内的所述边缘填充部的位置处的所述p型接触区的宽度与所述第一p型区域和所述第二p型区域的复合宽度Wc相比较宽，Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。3.如权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其中，所述第一p型区域与所述边缘填充部所...

【专利技术属性】
技术研发人员：永冈达司，三宅裕树，宫原真一朗，青井佐智子，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP