元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，包括碳化硅衬底、衬底上外延层以及外延层上注入形成的P掺杂区域，所述P掺杂区域为圆形/多边形元胞和条形元胞混合形成。圆形/多边形元胞增加肖特基接触面积占比，提高器件正向电流密度。条形元胞消除拐角处元胞和环形过渡区形成的尖角，提高器件的反向耐压能力，使器件不易烧毁。本发明专利技术提高器件安全性能的同时增加器件正向电流密度，节约了成本。

Cell layout, cellular structure and method for making silicon carbide junction potential barrier Schottky diode

The invention relates to a preparation method of cellular layout, cellular structure and silicon carbide junction barrier Schottky diode, including silicon carbide substrate, the substrate epitaxial P doped region formed into layer and epitaxial layer, the P doped region is a circular polygon / cellular and strip cell hybrid formation. The circular / polygonal cell increases the Schottky contact area ratio and improves the forward current density of the device. The strip cell eliminates the sharp corners formed at the corner cell and the annular transition region, and improves the reverse voltage resistance of the device, so that the device is not easy to burn. The invention improves the device's safety performance while increasing the forward current density of the device and saving the cost.

【技术实现步骤摘要】
元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法
本专利技术涉及一种元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，属于半导体

技术介绍
碳化硅材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高等独特优势，是制作高耐压、大功率、耐高温器件的理想半导体材料。使用碳化硅材料制作的结势垒肖特基二极管具有高耐压、大电流、快恢复等优势，在军事和民事方面具有广阔的应用前景。传统技术中，在碳化硅结势垒肖特基二极管的版图结构设计中，元胞结构有条形、方形以及多边形结构。条形元胞结构通过增加P注入面积，牺牲正向电流密度以提高器件的反向耐压能力。方形或多边形元胞通过增加肖特基接触面积，提高器件的正向电流密度，然而，方形或多边形的元胞的P掺杂区域与过渡区拐角形成大小不等的角度，如图1，为传统六边形元胞的碳化硅结势垒肖特基二极管版图结构的拐角部分，S101为P掺杂区域，S102为肖特基接触区域，S103为元胞的P掺杂区域与过渡区的拐角、S104为终端区；如图2所示，元胞的P掺杂区域与过渡区形成的锐角。当结势垒肖特基二极管承受方向能量时，小角度P掺杂区域的电场更加集中（如图3-2所示，图3-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元胞版图，包括元胞区（101）、围绕元胞区（101）的过渡区（103）、过渡区（103）外围的终端区（104）、以及位于元胞区（101）之间的肖特基接触区域（102）；其特征是：所述元胞区（101）包括第一元胞区和第二元胞区，第一元胞区包括若干圆形和/或多边形元胞区，第二元胞区设置在过渡区（103）的拐角处，第二元胞区包括多条与过渡区（103）拐角相平行的条形元胞区。

【技术特征摘要】
1.一种元胞版图，包括元胞区（101）、围绕元胞区（101）的过渡区（103）、过渡区（103）外围的终端区（104）、以及位于元胞区（101）之间的肖特基接触区域（102）；其特征是：所述元胞区（101）包括第一元胞区和第二元胞区，第一元胞区包括若干圆形和/或多边形元胞区，第二元胞区设置在过渡区（103）的拐角处，第二元胞区包括多条与过渡区（103）拐角相平行的条形元胞区。2.如权利要求1所述的元胞版图，其特征是：所述多边形元胞区采用方形元胞区或六角形元胞区。3.一种元胞结构，包括设置于器件上的元胞区，在元胞区设置元胞，元胞之间为肖特基接触区域；其特征是：所述元胞包括第一元胞和第二元胞，第一元胞为若干圆形和/或多边形元胞，第二元胞设置在器件过渡区的拐角处，第二元胞为条形元胞、与器件过渡区的拐角平行设置。4.如权利要求3所述的元胞结构，其特征是：所述多边形元胞采用方形元胞或六边形元胞。5.如权利要求3所述的元胞结构，其特征是：所述第一元胞相互平行或垂直布满器件的元胞区。6.如权利要求3所述的元胞结构，其特征是：所述器件为圆形器件或方...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐亚超，何钧，赵群，徐俊，王陆委，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32