薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板及其制备方法。该方法包括：在衬底的一侧形成栅极；在衬底的一侧形成覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层远离衬底的一侧形成有源层；在栅绝缘层远离衬底的一侧形成覆盖有源层的析氢层，并放置预定时间；去除析氢层的至少一部分；在未去除的所述析氢层远离衬底的一侧形成源极和漏极，或者去除全部所述析氢层后，在所述栅绝缘层和有源层远离衬底的一侧形成源极和漏极。由此，制备方法简便成熟，易于工业化生产，该方法中设置的析氢层的析氢能力可达到火山调控曲线的峰值附近，催化活性极高，且氢在界面处的扩散速率非常快，由此利用析氢层将有源层中的氢析出，降低有源层中的氢含量，进而提高薄膜晶体管的电学稳定性和显示效果，改善产品性能。

Thin film transistor, method for producing the same, and array substrate

The invention provides a thin film transistor, a preparation method thereof, an array substrate and a preparation method thereof. The method includes forming a gate electrode on one side of the substrate; a gate insulating layer covers the gate electrode formed on one side of the substrate; an active layer formed on the gate insulating layer away from the side of the substrate; forming hydrogen layer covering the active layer on the gate insulating layer from the substrate side, and placed a predetermined time; at least a portion of the removal of hydrogen layer the side away from the substrate; the hydrogen layer is not removed by the formation of source and drain, or remove all the hydrogen layer, source and drain are formed on the gate insulating layer and the active layer from one side of the substrate. Thus, the preparation method is simple, easy to industrialization, near the peak of the hydrogen evolution capacity of hydrogen layer in the method can reach the volcano regulation curve, high catalytic activity, and the rate of hydrogen diffusion in the interface is very fast, so the hydrogen layer will be hydrogen evolution in the active layer, reduce the content of hydrogen in the active layer, and then improve the electrical stability of the thin film transistor and display effect, improve product performance.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板。
技术介绍
传统的薄膜晶体管(TFT)采用非晶硅材料作为有源层，但由于其载流子迁移率太小，很难满足大尺寸显示装置的驱动需要。因此，业内目前大都准备采用具有高载流子迁移率的铟镓锌氧化物(IGZO)半导体做有源层来制备TFT，但是由于IGZO独特的四元结构，想要精确控制有源层中的氢含量变得十分困难，若有源层中的氢含量不能降到一定的浓度，其会显著影响TFT的电学特性，进而影响产品的显示效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种含氢量低或载流子迁移率高的薄膜晶体管。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种制备薄膜晶体管的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：在衬底的一侧形成栅极；在衬底的一侧形成覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层远离衬底的一侧形成有源层；在栅绝缘层远离衬底的一侧形成覆盖有源层的析氢层，并放置预定时间；去除析氢层的至少一部分；在未去除的所述析氢层远离衬底的一侧形成源极和漏极，或者去除全部所述析氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧形成栅极；在所述衬底的一侧形成覆盖所述栅极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成有源层；在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述有源层的析氢层，并放置预定时间；去除所述析氢层的至少一部分；在未去除的所述析氢层远离衬底的一侧形成源极和漏极，或者去除全部所述析氢层后，在所述栅绝缘层和有源层远离衬底的一侧形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧形成栅极；在所述衬底的一侧形成覆盖所述栅极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成有源层；在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述有源层的析氢层，并放置预定时间；去除所述析氢层的至少一部分；在未去除的所述析氢层远离衬底的一侧形成源极和漏极，或者去除全部所述析氢层后，在所述栅绝缘层和有源层远离衬底的一侧形成源极和漏极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述析氢层包括石墨烯层和金属催化剂层，其中，所述石墨烯层设置于靠近所述有源层的一侧。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述析氢层采用转印工艺形成。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述析氢层的至少一部分包括去除全部所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，周斌，汪军，李广耀，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34