薄膜晶体管、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶管、包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置。其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极、有源层，还包括辅助电极，所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠，且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内，所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间；所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置，且所述辅助电极包括圆弧结构，所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。本发明专利技术能够降低薄膜晶体管的寄生电容，同时能够减少薄膜晶体管的占地面积。

Thin film transistor, array substrate and display device

The invention provides a thin film crystal tube, an array substrate including the thin film transistor, and a display device including the array substrate. Among them, the thin film transistor includes a gate electrode, source / drain, active layer, also includes an auxiliary electrode and the auxiliary electrode and the source / drain layer set and don't overlap each other, and the auxiliary electrode to the vertical projection of the active layer in the active layer. The auxiliary electrode is positioned on the source electrode and the drain electrode; the auxiliary electrode surrounds the source electrode and the drain, and the auxiliary electrode comprises a circular structure, wherein one end of the source or drain toward the auxiliary electrode for arc structure. The invention can reduce the parasitic capacitance of the thin-film transistor, and can also reduce the area occupied by the thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
电泳显示(electrophoresisDisplay，EPD)通过电子墨水(ElectronicInk，E-ink)的反射进行显示，而电子纸作为一类典型的电泳显示装置，其具有低功耗、超薄、超轻，以及便于阅读的优势。电子纸通过像素电极和公共电极之间的电场控制电子墨水层的电泳粒子移动以实现对外界光线的反射，因此，为了让电泳粒子移动到反射面一侧，需要在像素电极和公共电极之间施加电压差。目前，能够驱动电泳粒子发生移动的电压差较大，例如，一般地，对于液晶显示装置而言，像素电极与公共电极之间的电压差约为5V；而对于电泳显示装置而言，像素电极与公共电极之间的电压差需要达到约15V。在电泳显示装置中，由于像素电极和公共电极之间的电压差较大，因此，用于驱动显示的薄膜晶体管的漏电流情况非常严重。为了降低电泳显示装置中薄膜晶体管的漏电流现象，现有技术中采用双沟道结构的薄膜晶体管。如图1所示，图1为现有技术中用于驱动电泳显示装置的一种薄膜晶体管，薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、源极/漏极、有源层，其特征在于，还包括辅助电极，所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠，且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内，所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间；所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置，且所述辅助电极包括圆弧结构，所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源极/漏极、有源层，其特征在于，还包括辅助电极，所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠，且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内，所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间；所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置，且所述辅助电极包括圆弧结构，所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极或者所述漏极包括圆弧结构。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极为U形。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极或者所述漏极为U形。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的边缘为U形，所述边缘为U形有源层向所述栅极的垂直投影位于所述栅极内。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U形的辅助电极包围所述漏极或者所述源极，所述U形的源极或者漏极包围所述U形的辅助电极。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述U形的辅助电极包括圆弧形辅助电极和直线形辅助电极，所述U形的源极或者漏极包括圆弧形源极或者漏极以及直线形源极或者漏极，所述直线形辅助电极的长度大于所述直线形源极或者漏极的长度。8.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助电极为多个U形，且所述多个U形的辅助...

【专利技术属性】
技术研发人员：许文钦，席克瑞，林柏全，李金玉，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31