一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，公开了一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法。所述纳米纸衬底薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。其制备方法为：在硬质衬底上旋涂纳米纤维素溶液，制备纳米纸衬底，然后依次通过射频磁控溅射室温制备缓冲层，通过直流磁控溅射室温制备栅极，通过射频磁控溅射室温制备栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上室温沉积制备有源层，再通过真空蒸发镀膜室温制备源/漏电极，得到所述纳米纸衬底薄膜晶体管。本发明专利技术采用纳米纸衬底并使用真空沉积技术室温下制备，制备方法简单、绿色环保。所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性的优点。

Nano paper substrate thin film transistor and preparation method thereof

The invention belongs to the technical field of display devices, and discloses a nanometer paper substrate thin-film transistor and a preparation method thereof. The nanometer paper substrate thin film transistor is composed of a hard substrate, a nanometer paper substrate, a buffer layer, a grid, a grid insulation layer, an active layer and a source / drain electrode in sequence. The preparation method is as follows: in the hard substrate coated with nano cellulose solution, preparation of nano paper substrate, followed by RF magnetron sputtering at room temperature for preparing buffer layer prepared by DC magnetron sputtering at room temperature for the gate, a gate insulating layer prepared by RF magnetron sputtering at room temperature, then deposited on the gate insulating active preparation layer, and source / drain electrodes by vacuum evaporation coating prepared at room temperature, obtaining the nano paper substrate thin film transistor. The invention adopts nanometer paper substrate and uses vacuum deposition technology to prepare at room temperature. The preparation method is simple, and the environment is green. The thin film transistors have the advantages of high mobility and high stability.

【技术实现步骤摘要】
一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于显示器件
，具体涉及一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
柔性显示具有广泛的应用前景，例如汽车仪表盘、可穿戴的腕表和可卷曲的显示屏等。柔性显示需要通过柔性衬底实现弯曲，大部分柔性衬底是塑料，例如PI、PEN和PET等。由于这些塑料衬底难以降解，随着电子器件更新周期不断降低，这些报废的塑料弃物会不断堆积而造成“白色污染”。因此，发展环境友好型的“绿色”电子器件是急需解决的难题。
技术实现思路
针对现有技术存在的缺点和不足之处，本专利技术的首要目的在于提供一种纳米纸衬底薄膜晶体管。本专利技术的另一目的在于提供上述纳米纸衬底薄膜晶体管的制备方法。本专利技术目的通过以下技术方案实现：一种纳米纸衬底薄膜晶体管，由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。优选地，所述纳米纸衬底与缓冲层铺满整个硬质衬底，栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极形成一个底栅交错型结构，即栅极下表面、栅极绝缘层外侧两端、源/漏电极外侧两端均与缓冲层连接，有源层设置在栅极绝缘层上层与源/漏电极内侧两端之间。优选地，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米纸衬底薄膜晶体管，其特征在于：由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。

【技术特征摘要】
1.一种纳米纸衬底薄膜晶体管，其特征在于：由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。2.根据权利要求1所述的一种纳米纸衬底薄膜晶体管，其特征在于：所述纳米纸衬底与缓冲层铺满整个硬质衬底，栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极形成一个底栅交错型结构，即栅极下表面、栅极绝缘层外侧两端、源/漏电极外侧两端均与缓冲层连接，有源层设置在栅极绝缘层上层与源/漏电极内侧两端之间。3.根据权利要求1或2所述的一种纳米纸衬底薄膜晶体管，其特征在于：所述的硬质衬底是指玻璃衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，曾勇，姚日晖，郑泽科，章红科，方志强，陈港，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44