一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，由于栅极的侧面与上表面的交界处很容易发生静电积累而导致栅极绝缘层被击穿，有源层在与栅极的侧面与上表面的交界处所对应的区域很容易发生断裂、或者有源层在与栅极的侧面与上表面的交界处所对应的区域由于存在杂质而发生断裂，因此在断裂处会导致TFT的栅极与第一电极或第二电极发生短路，而本发明专利技术正是在容易发生断裂的有源层区域及容易发生断裂的栅极绝缘层区域设置位于栅极绝缘层与第一电极之间第一绝缘部，因此即使在栅极的侧面与上表面的交界处所对应的栅极绝缘层和有源层发生断裂时，也不会发生栅极与第一电极或第二电极发生短路的问题，从而可以避免TFT发生不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及半导体
，尤指一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
大部分的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是使用氢化非晶硅(a-Si:H)作为有源层的材料，随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的像素开口率的要求越来越高，因此，目前的薄膜晶体管的有源层大多采用氧化物半导体材料，且氧化物半导体材料的价格更低。但是，现有的氧化物半导体TFT的结构中，如图1所示，包括：衬底基板01，位于衬底基板01上的栅极02，覆盖栅极02的栅极绝缘层03，位于栅极绝缘层03上的有源层04，与有源层04电连接的第一电极05和第二电极06；第一电极05、第二电极06和有源层04均与栅极02存在交叠区域，由于TFT的栅极02具有一定的厚度，因此在栅极02上方形成栅极绝缘层03和有源层04时，有源层04在与栅极02的侧面与上表面的交界处A处所对应的区域很容易发生断裂，而栅极绝缘层03由于栅极02的侧面与上表面的交界处A处容易发生静电积累从而被击穿，因此会导致TFT的栅极02与第一电极05或第二电极06发生短路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层上的有源层，位于所述有源层上方且与所述有源层电连接的第一电极和第二电极；其特征在于，还包括位于所述栅极绝缘层与所述第一电极之间的第一绝缘部；所述第一绝缘部在所述衬底基板的正投影与所述第一电极在所述衬底基板的正投影有部分重叠区域，且所述部分重叠区域覆盖所述栅极的侧面与上表面的交界处在衬底基板的正投影。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层上的有源层，位于所述有源层上方且与所述有源层电连接的第一电极和第二电极；其特征在于，还包括位于所述栅极绝缘层与所述第一电极之间的第一绝缘部；所述第一绝缘部在所述衬底基板的正投影与所述第一电极在所述衬底基板的正投影有部分重叠区域，且所述部分重叠区域覆盖所述栅极的侧面与上表面的交界处在衬底基板的正投影。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层中设置有第一沟槽，且所述第一绝缘部填充于所述第一沟槽内；或者所述第一绝缘部位于所述第一电极与所述有源层之间。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述栅极绝缘层与所述第二电极之间的第二绝缘部；所述第二绝缘部在所述衬底基板的正投影与所述第二电极在所述衬底基板的正投影有部分重叠区域，且所述部分重叠区域覆盖所述栅极的侧面与上表面的交界处在衬底基板的正投影。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层中设置有第二沟槽，且所述第二绝缘部填充于所述第二沟槽内，或者所述第二绝缘部位于所述第二电极与所述有源层之间。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽均为贯穿所述有源层的过孔。6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述有源层上方、且位于所述第一电极和所述第二电极之间的刻蚀阻挡层。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘部的材料与所述刻蚀阻挡层的材料相同。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，当所述薄膜晶体管包括第二绝缘部时，所述第二绝缘部的材料与所述刻蚀阻挡层的材料相同。9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。10.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括覆盖所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴求铉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11