一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板技术

本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板，以有效降低薄膜晶体管的漏电流，避免由于薄膜晶体管漏电流较大而导致显示器容易发生串扰和闪屏的问题。所述薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板之上的遮光层；设置在所述遮光层之上的有源层；其中，所述遮光层在面向所述有源层的一面设置有凹槽，所述凹槽的底面在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display panel

The invention provides a thin film transistor and its manufacturing method, array substrate and display panel, so as to effectively reduce the leakage current of the thin film transistor, thin film transistor to avoid the leakage current caused display prone to crosstalk and splash screen problem. The thin film transistor, including: setting the shading layer on a substrate substrate; set in the active layer of the shading layer; wherein, the light shielding layer for the active layer side is provided with a groove, wherein the bottom surface of the groove is projected on the substrate substrate covering the active layer in the substrate of the orthographic projection.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板。
技术介绍
平面显示器(F1atPane1Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(LiquidCrysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asmaDisp1ayPane1，PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。而作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。串扰和闪屏不良一直是伴随平面显示器的顽固不良，其中一个主要的原因是薄膜晶体管关态时漏电流太大。漏电流的机制主要是沟道的空穴电流和光照产生的漏电流。图1为现有技术的一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板11之上的栅极12，设置在栅极12之上的栅极绝缘层13，设置在栅极绝缘层13之上的有源层14，设置在有源层14上的源极15和漏极16，即，为了防止薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底基板之上的遮光层；设置在所述遮光层之上的有源层；其中，所述遮光层在面向所述有源层的一面设置有凹槽，所述凹槽的底面在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底基板之上的遮光层；设置在所述遮光层之上的有源层；其中，所述遮光层在面向所述有源层的一面设置有凹槽，所述凹槽的底面在所述衬底基板的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层为栅极，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述遮光层与所述有源层之间的栅极绝缘层；设置在所述有源层之上的源极和漏极。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述遮光层与所述有源层之间的钝化层；设置在所述有源层之上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层之上的栅极；设置在所述栅极之上的层间绝缘层；设置在所述层间绝缘层之上的源极和漏极，其中，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层连接。4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的开口深度为1000埃～10000埃。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述凹槽的底部之间的夹角大于或等于90°。6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。7.一种显示面板，包括背光源，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王铖铖，李贺飞，宫奎，董必良，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11